ถือว่าเป็นอีกค่ายยักษ์ใหญ่ในวงการโมดูลหน่วยความจำ สำหรับ SK Hynix ที่ล่าสุดเปิดตัวแรม DDR5 DRAM ตัวแรกของโลกกับความเร็ว 4,800-5,600Mbps ใช้พลังงานน้อยลง แต่ความจุมากขึ้น
ข้อมูลอ้างว่าแรม DDR5 ชุดใหม่นี้ จะเร็วกว่า DDR4 เดิมๆ ประมาณ 1.8 เท่า
แต่ไม่รวมแรมความเร็วสูงบางรุ่น ที่มีการโอเวอร์คล็อกมาใกล้เคียง เช่น Crucial Ballistix Max 5100 ที่แม้จะเป็น DDR4 แต่ก็ถือว่าเร็วใกล้เคียงกับสัญญาณความถี่ของ DDR5 เลยทีเดียว ซึ่งถ้ามองย้อนกลับไปในช่วงปี 2014 ที่ผ่านมาถึงวันนี้ก็เกือบ 10 ปีของ DDR4 แล้ว นับว่าเป็นเส้นทางอันยาวไกลเลยทีเดียว
โดยที่แรม DDR5 จากทาง SK Hynix จะเซ็ตความเร็วชุดแรกออกมาที่ 4,800MHz ไปจนถึง 5,600MHz และแผนต่อไปคือ ความเร็วระดับ 6,400MHz ขึ้นไป แต่สำหรับ DDR5 ไม่ได้มีแค่ความเร็วเท่านั้น แต่ความจุก็ได้รับการปรับปรุงมาเช่นเดียวกัน โดยคาดว่าจะพัฒนาความจุไปได้ถึง 256GB ในโมดูลเดียวได้ ผ่านทางชิปซิลิกอนที่ซ้อนกัน Chip-stacking คล้ายกับ NAND บน SSD ด้วยเทคโนโลยี TSV
แต่จากข้อมูลล่าสุด DDR5 ชุดนี้จะยังไม่ได้ลงมาในตลาดเกมมิ่งพีซีหรือคอมทั่วไป แต่เป็นโมดูลที่เป็นแบบ Low voltage ที่เหมาะสำหรับดาต้าเซ็นเตอร์ ซึ่งมีข่าวว่าจะมีแพลตฟอร์มจากทั้ง 2 ค่ายใหญ่อย่าง Intel และ AMD ออกมาด้วย บนสถาปัตยกรรมเซิร์ฟเวอร์ที่ใกล้จะมาถึงอย่าง Intel’s Sapphire Rapids ในปี 2021 โดยมีการทำงานอย่างใกล้ชิดระหว่าง Intel และ SK Hynix ในการพัฒนา DDR5 รุ่นแรก ให้ผ่านมาตรฐาน JEDEC เพื่อให้พร้อมต่อการใช้งานในเร็ววัน
ส่วนการนำไปใช้ในเกมมิ่งพีซีนั้น แม้ว่า DDR5 จะเป็นสิ่งใหม่ที่น่าสนใจ ทั้งในแง่ความเร็วและความจุ แต่ด้วยปัจจุบัน DDR4 ความเร็วสูง เป็นสิ่งที่ตอบโจทย์การใช้งานได้ดีพออยู่แล้วบนสถาปัตยกรรมในปัจจุบัน ซึ่งทาง AMD และ Intel ก็พยายามผลักดัน ด้วยการเพิ่มความเร็วให้สูงขึ้น แต่สิ่งที่น่าสนใจคือ การให้ความสำคัญของ Latency ในการเล่นเกม ที่อาจมีส่วนทำให้ถึงเวลาของ DDR5 เร็วกว่าเดิม ส่วนค่ายอื่นๆ เช่น Samsung จะเริ่มผลิต DDR5 มากขึ้นในปี 2021 และ Micron ก็เตรียม DDR5 เอาไว้แล้วในเวลานี้
ที่มา: DRAM DDR5 SK Hynix
