เป็นระยะเวลาหนึ่งแล้วครับที่ทาง Intel นั้นได้ทำการพัฒนาชิปหน่วยความจำแบบใหม่ที่ใช้เทคโนโลยีอย่าง spin-transferable torque magnetoresistive RAM หรือ STT-MRAM โดยล่าสุดนั้นทาง Intel ได้ออกมาประกาศอย่างเป็นทางการแล้วครับว่า STT-MRAM ดังกล่าวนี้นั้นได้เข้าสู่กระบวนการผลิตโดยใช้กระบวนการผลิตที่ระดับ 22 nm เป็นที่เรียบร้อยแล้ว โดยชิปหน่วยความจำแบบ STT-MRAM นี้นั้นจะเข้ามาแทนที่ชิปหน่วยความจำแบบเก่าอย่าง SRAM และ NAND Flash ซึ่งคาดว่าในปี 2020 นั้นน่าจะได้เห็นผลิตภัณฑ์ออกมาจำหน่ายอย่างเป็นทางการครับ
ทาง Intel ได้มีการเผยข้อมูลพร้อมหน่วยความจำต้นแบบที่ใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแบบ STT-MRAM ออกมาในช่วงงาน International Solid-State Circuits Conference ที่จัดขึ้นในช่วงอาทิตย์ที่ผ่านมาครับ โดย ณ ตอนแรกนั้นมีการคาดการณ์กันว่าชิปหน่วยความจำแบบ STT-MRAM นั้นจะใช้กระบวนการผลิตที่ระดับ 7 nm ทว่าในการเผยข้อมูลนั้นสรุปว่าทาง Intel สามารถที่จะผลิตชิปหน่วยความจำดังกล่าวได้ด้วยกระบวนการผลิตที่ระดับ 22FFL FinFET ครับ
ในส่วนของประสิทธิภาพที่ทาง Intel ได้ระบุเอาไว้นั้นก็ถือว่าน่าสนใจทีเดียวครับเพราะชิปหน่วยความจำแบบ STT-MRAM นั้นมีประสิทธิภาพโดยรวมแล้วเหนือกว่า DRAM ที่เราใช้กันอยู่ในปัจจุบันไม่ว่าจะเป็นเรื่องชองเวลาในการอ่านและเขียนข้อมูลที่น้อยกว่า ระยะเวลาในการเก็บข้อมูลบนตัวหน่วยความจำที่มากกว่า(จาก DRAM ที่สามารถเก็บได้เพียงในช่วงวินาทีมาเป็นเก็บข้อมูลได้ยาวนานขึ้นในระดับอาทิตย์) แถมอัตราการใช้พลังงานนั้นก็น้อยกว่าด้วยครับ
ทั้งนี้นั้นมีความเป็นไปได้สูงมากครับว่าผลิตภัณฑ์ที่ใช้ชิปหน่วยความจำเทคโนโลยี STT-MRAM นี้นั้นจะถูกนำมาใช้เป็นหน่วยความจำที่รองรับการใช้งานฟีเจอร์ Intel Optane ทว่าด้วยความที่ตัวชิปต่อหนึ่งหน่วยนั้นจะมีขนาดอยู่ที่ 7 Mb เท่านั้นดังนั้นแล้วในช่วงแรกๆ นั้นทาง Intel อาจจะเลือกเอาหน่วยความจำแบบ STT-MRAM มาใช้งานบนหน่วยประมวลผลเป็น cache memory ก่อนครับ
ที่มา : notebookcheck
