Toshiba และ Sandisk ได้ประกาศออกมาครับว่าทั้ง 2 บรัษทพร้อมที่จะนำเทคโนโลยีกระบวนการการผลิตที่ขนาด 15 nm มาใช้ในการผลิต NAND memory (หน่วยความจำพบได้ทั่วไปในอุปกรณ์ Smartphone และ Tablet) โดยเทคโนโลยีใหม่นี้จะนำมาใช้ผลิตกับหน่วยความจำขนาด 128 Gb (16 GB) ที่มีการเก็บข้อมูลแบบ 2 bit ต่อ cell เป็นตัวแรก ซึ่งการใช้เทคโนโลยีการผลิต 15 nm นี้จะทำให้ Toshiba สามารถที่จะใช้ส่วนเชื่อมต่อความเร็วสูงที่ทางผู้ผลิตยืนยันว่าสามารถที่จะโอนถ่ายข้อมูลด้วยความเร็ว 533 mbit/sec (เร็วกว่าเทคโนโลยีการผลิตเดิมที่ 19 nm ถึง 1.3 เท่า)
นอกจากนั้น Toshiba ยังได้กล่าวอีกว่า Toshiba จะนำเทคโนโลยีการผลิต 15 nm นี้ไปใช้พัฒนาการผลิตหน่วยความจำที่มีขนาด 3 bit ต่อ cell เพิ่มเติม โดยในตอนแรกจะทำออกมาสำหรับหน่วยความจำสำหรับ Smartphone และ Tablet และจะพัฒนามาใช้กับ SSD สำหรับ Notebook ในภายหลัง?ทางด้าน Sandisk ได้กล่าวเพิ่มเติมว่า ทาง Sandisk เองก็จะนำกระบวนการผลิต 15 nm นี้ (ซึ่ง Sandisk เรียกกระบวนการผลิตนี้ว่า 1Z-nm node) ไปใช้ผลิตหน่วยความจำที่มีขนาด 2 bit ต่อ cell และ 3 bit ต่อ cell ออกมาภายในช่วงครึ่งปีหลังของปี 2014 นี้ และแน่นอนด้วยกระบวนการผลิตแบบใหม่นี้ Sandisk กล่าวปิดท้ายไว้ว่า NAND memory ที่ผลิตออกมานั้นจะมีประสิทธิภาพสูงมากกว่าเดิมและมาพร้อมกับราคาที่ทุกคนต้องพอใจอย่างแน่นอนครับ
หมายเหตุ Toshiba และ Sandisk เป็นบริษัทที่ร่วมทุนกันในการวิจัย พัฒนา และผลิตหน่วยความจำ
ที่มา : vr-zone
