SK hynix ผลิตจริง QLC NAND 321 ชั้น – ก้าวสำคัญในวงการหน่วยความจำ
SK hynix ประกาศเริ่ม mass production ของ 321-layer QLC NAND Flash อย่างเป็นทางการ ถือเป็นครั้งแรกของโลกที่เทคโนโลยีนี้ สามารถทำได้เกิน 300 ชั้น ความสำเร็จครั้งนี้ทำให้ SK hynix มีผลิตภัณฑ์ที่ทั้ง จุได้มากขึ้น และ ต้นทุนต่อ GB คุ้มค่ามากขึ้น พร้อมเจาะตลาดตั้งแต่ PC SSD ของผู้ใช้ทั่วไป จนถึง enterprise SSD (eSSD) สำหรับ AI data center และแม้แต่ UFS บนสมาร์ทโฟน
ชิป NAND 1 เม็ด = 8TB
ความโดดเด่นที่สุดของรุ่นนี้ คือการทำให้ NAND package หนึ่งเม็ด มีความจุสูงสุดถึง 8TB ได้สำเร็จ
- ภายในชิป 1 เม็ด ใช้เทคนิค 32-die stacking
- แต่ละ die มีความจุ 2Tb (~256GB)
- รวมกัน 32 die = 8TB ต่อ package (ชิป NAND 1 เม็ด)
ดังนั้นเวลามองที่ SSD จริง ๆ ที่ใช้หลาย package ประกอบรวมกัน ความจุรวมจึงขยายได้ตั้งแต่ 10TB, 20TB ไปจนถึง 30TB+ ได้ไม่ยาก ซึ่งระดับนี้ปกติจะเห็นใน ดาต้าเซ็นเตอร์ เท่านั้น แต่ SK hynix มีแผนดันลงมาใน SSD สำหรับผู้ใช้ทั่วไป ก่อนใคร
ประสิทธิภาพที่ดีขึ้นรอบด้าน
แม้จะเป็น QLC ซึ่งเดิมทีมีข้อเสียเรื่องความเร็วและความทนทาน แต่ SK hynix ก็แก้เกมด้วยการออกแบบใหม่ เพิ่มจำนวน plane (หน่วยประมวลผลย่อยภายในชิป) จาก 4 → 6 plane ทำให้รองรับการประมวลผลแบบขนานได้มากขึ้น
ผลลัพธ์คือ
- Data transfer speed เพิ่มขึ้น 2 เท่า
- Write performance ดีขึ้นสูงสุด 56%
- Read performance ดีขึ้น 18%
- Write power efficiency ดีขึ้นกว่า 23%
ทั้งหมดนี้ทำให้ QLC รุ่นใหม่ไม่ได้มีแค่ “ความจุสูง” แต่ยัง เร็วขึ้นและประหยัดพลังงานขึ้น ซึ่งตรงกับความต้องการของ AI workload และ data center ที่ให้ความสำคัญกับ TCO (Total Cost of Ownership) และการใช้พลังงานต่อประสิทธิภาพ
ทำไม 321-Layer ถึงสำคัญ
การผลิต NAND ที่มีจำนวน layer สูงขึ้น หมายถึงการเพิ่ม density (ความหนาแน่น) ของการเก็บข้อมูลบนซิลิคอนในพื้นที่เท่าเดิม ยิ่ง stack layer ได้มาก → ยิ่งบันทึกข้อมูลได้มาก → ต้นทุนต่อ bit ถูกลง
ครั้งนี้ SK hynix ก้าวไปถึง 321 layers ซึ่งถือเป็นความสำเร็จที่สำคัญ เพราะ QLC (เก็บข้อมูล 4 บิตต่อ cell) มีความท้าทายด้านเสถียรภาพมากกว่าประเภท TLC หรือ MLC แต่การที่สามารถซ้อนเกิน 300 ชั้นได้สำเร็จ หมายถึง เส้นทางไปสู่ SSD ความจุ ultra-high เปิดกว้างเต็มที่แล้ว
วิสัยทัศน์สู่ยุค AI Memory
นาย Jeong Woopyo หัวหน้าฝ่ายพัฒนา NAND ของ SK hynix กล่าวว่า
“การเริ่มผลิตจริงครั้งนี้ ไม่เพียงเพิ่มไลน์อัปที่มีความจุสูงขึ้น แต่ยังทำให้เราได้เปรียบด้าน cost competitiveness และเป็นการก้าวสู่การเป็น Full-stack AI memory provider ที่พร้อมตอบโจทย์ความต้องการมหาศาลของยุค AI”
สรุป
การที่ SK hynix เริ่มผลิตจริง 321-layer QLC NAND Flash ทำให้ตลาดหน่วยความจำก้าวเข้าสู่ยุคใหม่ที่ ชิป NAND 1 เม็ดมีความจุสูงถึง 8TB และสามารถสร้าง SSD ที่มีความจุ 10TB–30TB+ ได้ง่ายขึ้น แถมยังมาพร้อม ความเร็วที่ดีขึ้น และใช้พลังงานน้อยลง
นอกจากจะเป็นก้าวสำคัญสำหรับ SSD รุ่นใหม่ ที่ผู้ใช้ทั่วไปจะได้สัมผัสในอนาคตอันใกล้แล้ว ยังเป็นรากฐานที่จะขับเคลื่อน AI data center ซึ่งต้องการทั้ง ความจุ ความเร็ว และการใช้พลังงานอย่างคุ้มค่า
ที่มา: wccftech
