Connect with us

Hi, what are you looking for?

Notebookspec

Other News

[Samsung] เดินตามรอย … ผู้ใช้ Galaxy S8/S8+ พบรอมภายในบางเครื่องใช้ UFS 2.0 แทนที่จะเป็น UFS 2.1

ถือว่าเป็นเรื่องที่น่าสนใสมากจริงๆ ครับ จากก่อนหน้านี้ที่มีปัญหาเรื่องแหล่งเก็บข้อมูลบน P10/P10+ ไม่ได้ใช้เป็น UFS 2.1 ทั้งหมด โดยจะมีบางเครื่องที่ใช้ UFS 2.0 หรือไม่ก็ eMMC 5.1 ซึ่งทาง Huawei ก็ได้ออกมายอมรับแบบเสียงเสียๆ ไปแล้ว

ถือว่าเป็นเรื่องที่น่าสนใสมากจริงๆ ครับ จากก่อนหน้านี้ที่มีปัญหาเรื่องแหล่งเก็บข้อมูลบน P10/P10+ ไม่ได้ใช้เป็น UFS 2.1 ทั้งหมด โดยจะมีบางเครื่องที่ใช้ UFS 2.0 หรือไม่ก็ eMMC 5.1 ซึ่งทาง Huawei ก็ได้ออกมายอมรับแบบเสียงเสียๆ ไปแล้ว งานนี้ต่อมาเรื่องเดียวกันดังกล่าวนี้นั้นบยังพบว่าเกิดขึ้นกับ Samsung Galaxy S8/S8+ อีกด้วยครับ

samsung galaxy s8 600 01

Advertisement

สำหรับในกรณีของ Samsung นั้นมีวิธีการตรวจสอบอยู่ครับ วิธีการก็คือให้ใช้แอปพิลเคชันที่มีชื่อว่า Terminal Emulator แล้วพิมพ์คำสั่ง cat /proc/scsi/scsi แล้วหลังจากนั้นให้ดูรหัสหน้าของโค๊ดที่ขึ้นมาโดยหาก 3 ตัวแรกเป็น THG นั่นแสดงว่าชิแแหล่งเก็บข้อมูลจะเป็น UFS 2.1 ที่ผลิตโดย Toshiba แต่ถ้าเป็นของ Samsung เองจะเป็นรหัส KLU นำหน้าซึ่งมีทั้ง UFS 2.0 และ 2.1 ดังตารางด้านล่างนี้ครับ

samsung galaxy s8 600 04

หลังจากเรื่องนี้แดงออกมานั้น ดูเหมือนทาง Samsung จะเลือกหาทางที่ฉลาดน้อยที่สุดอย่างการนำเอาสเปคที่ระบุไว้ว่า ROM เป็น UFS 2.1 ออกจากหน้าเว็บไซต์แบบเดียวกับที่ทาง Huawei ทำเหมือนกับเป็นเดจาวูยังไงยังงั้นเลยหล่ะครับ ลองไปดูรูปกันครับว่าก่อนและหลังเอาสเปคออกนั้นจะเป็นอย่างไรsamsung galaxy s8 600 05

จากการรวมตัวของผู้ใช้งานใน XDA Developers นั้นพบว่า ณ ตอนนี้เครื่องที่ใช้ UFS 2.0 นั้นเป็นเครื่องที่มาพร้อมกับชิปเซ็ท Qualcomm Snapdragon 835 ซึ่งวางจำหน่ายในโซนสหรัฐอเมริกาและยุโรปในบางประเทศครับ สำหรับผู้ใช้เครื่องรุ่นที่เป็น Exynos นั้นยังคงไม่พบว่าได้รับแหล่งเก็บข้อมูลเป็น UFS 2.0 งานนี้คงต้องมารอดู Samsung กันแล้วหล่ะครับว่าพวกเขาจะทำอย่างไรต่อไป

ที่มา : xda

Click to comment
Advertisement

บทความน่าสนใจ

IT NEWS

ถ้าจะสรุปข่าวนี้ให้เข้าใจง่ายในประโยคเดียว: Samsung กำลัง “จัดสรรกำลังผลิตใหม่” เพื่อทำกำไรให้สุดในรอบที่ราคา DRAM/NAND พุ่งสูงขึ้น โดยเลือกทุ่มทรัพยากรไปที่สินค้ามาร์จิ้นสูงก่อน (โดยเฉพาะ DRAM ฝั่ง server) แล้วค่อยเพิ่มน้ำหนักไปที่ HBM และงาน foundry โหนดใหม่ เมื่อ “yield” เริ่มนิ่งและคุมต้นทุนได้มากขึ้น แนวคิดนี้มาพร้อมเป้าหมายที่ค่อนข้างทะเยอทะยาน: รายงานระบุว่า Samsung ต้องการดัน...

IT NEWS

Samsung เตรียมใช้เทคโนโลยีระบายความร้อนใหม่ “Heat Pass Block” (HPB) ในชิปเซ็ต Exynos 2600 ในปี 2026 ที่ถือว่าเป็นปีที่มีการแข่งขันในตลาดสมาร์ทโฟนกันหนักหน่วง โดยเฉพาะความเร็วและความจุที่พุ่งทะยานไปไกล Samsung ตั้งใจใช้เทคโนโลยีใหม่ ในการลดปัญหาความร้อนสะสมในสมาร์ทโฟนระดับเรือธงให้ได้มากที่สุด กับเทคโนโลยีนี้ ที่อาจเป็นจุดเปลี่ยนสำคัญที่ทำให้ค่ายมือถือไม่ต้องติดตั้งพัดลมระบายความร้อนแยกหรือ Custom Fans เพิ่มเติมเข้ามาในตัวเครื่องแต่อย่างใด Heat Pass Block (HPB) คืออะไร และระบายความร้อนได้ดีขึ้นอย่างไร?...

IT NEWS

Samsung “เริ่มส่งมอบ HBM4” อย่างเป็นทางการ Samsung ออกประกาศว่าได้เริ่มส่งมอบหน่วยความจำ HBM4 เชิงพาณิชย์แล้ว โดยชูจุดขายหลักคือ “ความเร็วต่อพิน (pin speed)” ที่ทำได้ 11.7 Gbps และสามารถ “เพิ่มเพดาน” ได้ถึง 13 Gbps เพื่อช่วยลดคอขวดการป้อนข้อมูลให้ AI accelerator ในยุคที่โมเดล...

IT NEWS

Samsung “คอนเฟิร์ม” รองรับ G-SYNC อย่างเป็นทางการ Samsung ออกข่าวประชาสัมพันธ์ยืนยันว่าไลน์อัป ทีวี OLED ปี 2026 และ จอเกมมิ่ง Odyssey รุ่นใหม่ จะเป็น NVIDIA G-SYNC Compatible อย่างเป็นทางการ เพื่อช่วยให้การเล่นเกม “ลื่นขึ้น” โดยลดอาการภาพฉีก (screen...

เราใช้คุกกี้เพื่อพัฒนาประสิทธิภาพ และประสบการณ์ที่ดีในการใช้เว็บไซต์ของคุณ คุณสามารถศึกษารายละเอียดได้ที่ นโยบายความเป็นส่วนตัว

Privacy Preferences

คุณสามารถเลือกการตั้งค่าคุกกี้โดยเปิด/ปิด คุกกี้ในแต่ละประเภทได้ตามความต้องการ ยกเว้น คุกกี้ที่จำเป็น

ยอมรับทั้งหมด
Manage Consent Preferences
  • คุกกี้ที่จำเป็น
    Always Active

    ประเภทของคุกกี้มีความจำเป็นสำหรับการทำงานของเว็บไซต์ เพื่อให้คุณสามารถใช้ได้อย่างเป็นปกติ และเข้าชมเว็บไซต์ คุณไม่สามารถปิดการทำงานของคุกกี้นี้ในระบบเว็บไซต์ของเราได้

บันทึก