SK Hynix ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำได้ทำการเปิดตัว HBM2E ซึ่งเป็นมาตรฐานหน่วยความจำแบบใหม่ มีแบนด์วิดธ์สูงถึง 50% หรือมีกำลังการผลิตเพิ่มขึ้นเป็นสองเท่าเมื่อเทียบกับรุ่นก่อน โดยชิปตัวใหม่นี้มีจุดประสงค์เพื่อนำไปใช้กับ AI และการ์ดจอระดับสูง
SK Hynix ได้แนะนำขั้นต่อของหน่วยความจำแบนด์วิดธ์สูง(HBM2) โดย SK Hynix ยืนยันว่ามาตรฐาน HBM2E ใหม่นี้สามารถรองรับแบนด์วิดธ์สูงถึง 50% (สูงสุด 460GB/s) แถมยังเพิ่มความจุจาก 8 เป็น 16 GB อีกด้วย
SK Hynix อ้างว่า HBM2E ใหม่นั้นมีความเร็วสูงถึง 3.6Gbps ต่อ pin และมีข้อมูลส่งผ่านได้ 1024 ครั้ง โดยการใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยี Through Silicon Via (TSV) ทำการประกอบชิป 16Gb ทั้ง 8 ตัวสามารถนำมาซ้อนกันจนมีความจุ 16GB
HBM2E เป็นหน่วยความจำที่เหมาะสมที่สุดสำหรับยุคอุตสาหกรรมที่สี่ซึ่งรองรับ GPU ระดับสูง, supercomputer, machine learning และ AI ที่ต้องการประสิทธิภาพหน่วยความจำระดับสูงสุด ซึ่งแตกต่างจาก DRAM อื่นซึ่งจะใช้ในรูปแบบแพคเกจโมดูลและติดตั้งอยู่บนแผงระบบ ชิป HBM จะมีการเชื่อมต่ออย่างใกล้ชิดกับหน่วยประมวลผลเช่น GPU และชิปแบบ logic โดยจะมีความห่างเพียงไม่กี่ ㎛ ซึ่งจะช่วยให้การถ่ายโอนข้อมูลรวดเร็วยิ่งขึ้น
ที่มา : notebookcheck, SK Hynix
