ถึงแม้ว่าจะยังไม่มีการเปลี่ยนแปลงกระบวนการผลิตชิปหน่วยความจำ RAM ซึ่ง ณ ปัจจุบันที่ทาง SK Hynix ผลิตอยู่ที่ระดับ 10 nm นั้น ทว่าทาง SK Hynix ก็ได้ทำการพัฒนากระบวนการผลิตที่ระดับ 10 nm ให้ดีขึ้นไปอีกขั้นเป็นผลทำให้ทางบริษัทสามารถที่จะผลิตชิปหน่วยความจำแบบ DDR4 ที่ขนาด 8 Gb ให้มาพร้อมกับประสิทธิภาพและอัตราการใช้พลังงานที่กว่าเดิมครับ และด้วยกระบวนการผลิตที่ทางบริษัทเรียกว่า 1Ynm นั้นทำให้ตัวชิปหน่วยความจำมีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น 15% ในขณะที่อัตราการใช้พลังงานนั้นน้อยลงถึง 20% ครับ
ด้วยกระบวนการผลิตใหม่นี้นั้นทำให้ตัวชิปหน่วยความจำสามารถที่จะเพิ่มอัตราความเร็วในการโอนถ่ายข้อมูลไปอยู่สูงสุดที่ 3,200 MHz ได้อย่างสบายๆ อย่างไรก็ตามแต่แล้วนั้นทางบริษัทได้ทิ้งเทคโนโลยี ‘4-Phase Clocking’ ออกไปแล้วทำการเพิ่มในส่วนของเทคโนโลยีใหม่อย่าง ‘Sense Amp. Control’ เข้ามาแทนซึ่งนั่นทำให้ชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่นี้นั้นใช้พลังงานน้อยลงกว่าเดิมรวมไปถึงอัตราการเกิดข้อผิดพลาดในการใช้งานก็น้อยลงกว่าเดิมด้วยครับ
สำหรับชิปหน่วยความจำรุ่นใหม่นี้นั้นทาง SK Hynix ได้บอกเอาไว้ว่าจะสามารถทำการส่งไปยังผู้ผลิตหน่วยความจำได้ภายในต้นปี 2019 นี้เป้นต้นไปซึ่งในช่วงต้นนั้นก็จะเน้นไปที่บริษัทที่ทำการผลิตหน่วยความจำสำหรับ PC และ Server ก่อนหลังจากนั้นก็จะขยายไปยังตลาดอุปกรณ์เคลื่อนที่อย่างสมาร์ทโฟนและแท็บเล็ตครับ
ที่มา : techpowerup
