หลังจากที่ได้มีการเปิดตัวชิปแรม 4GB DDR3 DRAM DIMMs ที่ใช้กระบวนการผลิตที่ 20nm เป็นเวลากว่าปีกแล้วนั้น ณ ตอนนี้ Samsung ก็ได้ประกาศเริ่มผลิตแรมด้วยเทคโนโลยี 20nm นี้เป็นที่เรียบร้อยแล้วครับ?
?
โดยกระบวนการผลิตชิปจะใช้กระบวนการผลิตดังต่อไปนี้ครับ
- using ArF (Argon Fluoride) excimer laser lithography
- more advanced double patterning
- atomic layer deposition techniques
ทาง Samsung กล่าวว่า DDR3 DRAMS ที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 20nm จะมีประสิทธิภาพโดยรวมดีกว่า?DDR3 DRAMS ที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 25nm ถึง 30% และมากกว่าถึง 50% ด้วยกันหากเทียบกับ?DDR3 DRAMS ที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 30nm โดยประสิทธิภาพที่ได้เพิ่มขึ้นมานั้นยังมาพร้อมกับการอัตราการใช้พลังงานที่ลดลงถึง 25% ด้วยกันถ้าหากเทียบกับ?DDR3 DRAMS ที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 25nm จากนี้ทางบริษัทเองก็ยังคงวางแผนพัฒนาเทคโนโลยีกระบวนการผลิต 10nm สำหรับการผลิตในอนาคตอีกด้วยครับ
ทั้งนี้ Samsung คาดหวังว่า เทคโนโลยีการผลิตขนาด 20nm จะช่วยผลักดันให้อุปกรณ์เคลื่อนที่หรือ Mobile Devices (สมาร์ทโฟนและแท็บเล็ต) มีประสิทธิภาพดีมากพอที่จะสามารถต่อกรได้กับอุปกรณ์คอมพิวเตอร์อย่างโน๊ตบุ๊ค หรือ PC ได้ดีมากขึ้นครับ ผมคาดว่าเราน่าจะได้เห็น?4Gb DDR3 DRAM DIMMs มาพร้อมกับ Samsung Galaxy Note 4 หรือไม่ก็ Samsung Galaxy S5 Prime (หรือ จากข่าวลืออาจเรียกในชื่อใหม่เป็น Galaxy F) กันก็เป็นได้ครับ
ที่มา : VR-Zone
