Samsung นั้นถือได้ว่าเป็นหนึ่งในด้านการผลิตชิปหน่วยความจำจากที่จะเห็นได้ว่า V-NAND memory ของทาง Sasmung นั้นได้รับความนิยมอย่างกว้างขวางจากบรรดาผู้ผลิตเพื่อที่จะนำไปใช้ในการผลิตหน่วยความจำแบบ LPDDR RAM หรือแม้กระทั่งแหล่งเก็บข้อมูล ล่าสุดนั้นเพื่อประกาศความเป็นผู้นำทางด้าน V-NAND memory อีกรอบทาง Samsung เองจึงได้ทำการเปิดตัวแหล่งเก็บข้อมูลสำหรับสมาร์ทโฟนมาตรฐาน eUFS 3.1 ที่ความเร็วนั้นเรียกว่าเข้าใกล้แหล่งเก็บข้อมูลแบบ NVMe ที่ใช้งานบนเครื่องคอมพิวเตอร์เลยทีเดียว
จริงๆ หากจะว่าไปแล้วนั้นแหล่งเก็บข้อมูลตามมาตรฐาน UFS 3.0 ที่สามารถพบได้บนสมาร์ทโฟนระดับเรือธงในปัจจุบันนั้นก็มีความเร็วมากอยู่แล้ว ทว่าด้วยมาตรฐาน eUFS 3.1 นั้นความเร็วในการอ่านและเขียนข้อมูลก็จะเพิ่มมากขึ้นไปอีกขั้น ทาง Samsung เองนั้นได้บอกเอาไว้ว่าแหล่งเก็บข้อมูลมาตรฐาน eUFS 3.1 นี้จะมีความเร็วมากพอในการบันทึกไฟล์วีดีโอที่ความละเอียดระดับ 8K เลยทีเดียว สำหรับสเปคนั้นเรียกได้ว่าน่าสนใจเป็นอย่างมากโดยเฉพาะความเร็วในการอ่านข้อมูลแบบลำดับที่จะเร็วมากถึง 2.1 GB/s ในขณะที่ความเร็วในการเขียนข้อมูลแบบลำดับนั้นก็จะสูงถึง 1.2 GB/s กันเลยทีเดียว
ด้วยความเร็วดังกล่าวนี้เองนั้นทาง Samsung ได้โฆษณาเอาไว้ว่าผู้ใช้สามารถที่จะทำการโอนถ่ายข้อมูลเข้าสู่สมาร์ทโฟนขนาด 100 GB ได้ในระยะเวลาแค่เพียง 1.5 นาทีเท่านั้น ทางด้านความเร็วในการอ่านและเขียนข้อมูลแบบซุ่มนั้นก็สูงมากถึง 100,000 IOPS และ 70,000 IOPS ตามลำดับ โดยที่จะมีการตอบสนองของเวลาในการโหลดเร็วกว่าเดิมถึง 60% ทั้งนี้ทาง Samsung เองได้เริ่มทำการผลิตแหล่งเก็บข้อมูลตามมาตรฐาน eUFS 3.1 แล้วโดยจะผลิตด้วยกันที่ 3 ขนาดคือ 512 GB, 256 GB และ 128 GB ซึ่งทาง Samsung เองนั้นคาดการณ์เอาไว้ว่าจะสามารถส่งแหล่งเก็บข้อมูลมาตรฐาน eUFS 3.1 นี้ให้กับผู้ผลิตสมาร์ทโฟนได้ภายในปีนี้
ที่มา : notebookcheck
