.
บริษัท Hynix Semiconductor Inc. และ Toshiba Corporation ประกาศลงนามร่วมกันพัฒนาแรมชนิดใหม่ที่มีชื่อว่า Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory (MRAM) ที่จะเป็นเทคโนโลยีของแรมรุ่นต่อไปของอนาคต ที่มีประสิทธิภาพ และความเร็วมากขึ้นกว่าเดิม และด้วยความต้องการชิพหน่วยความจำที่เพิ่มมากขึ้นในตลาด สำหรับอุปกรณ์ต่างๆมากมายที่ต้องใช่ชิพหน่วยความจำ ทำให้อนาคตของตลาดชิพหน่วยความจำนี้จะต้องมีความต้องการเพิ่มขึ้นอย่างแน่นอน โดยเฉพาะชิพที่มีระสิทธิภาพที่สูงกว่ารุ่นเดิมๆด้วย
เทคโนโลยี MRAM จะแตกต่างจาก DRAM แบบเก่า ที่จะเป็นการเก็บค่าความแตกต่างของค่า 0 และ 1 ผ่านอิเล็กตรอน แต่เทคโนโลยี MRAM จะใช้การวัดความแตกต่างของแรงต้านทานของแม่เหล็ก magnetic tunnel junction (MTJ) โดยจะเขียนข้อมูลลงไปบนชั้นแม่เหล็ก tunnel magnetoresistance (TMR)
ที่มา: techpowerup
