ถ้าพูดถึงตัวชิปหน่วยความจำนั้นคงปฎิเสธไม่ได้ครับว่าทาง Samsung นั้นเขามาแรงจริงๆ โดยล่าสุดนั้นทาง Samsung ได้มีการออกมารายงานครับว่า ณ เวลานี้นั้นทาง Samsung ได้เริ่มดำเนิการผลิตชิปหน่วยความจำแบบ vertically-stacked NAND หรือ V-NAND สำหรับแหล่งเก็บข้อมูลแบบ SATA SSD ซึ่งถือได้ว่าเป็น 3D memory รุ่นที่ 6 แล้วของทาง Samsung โดยในส่วนของตัวชิปนั้นจะมาพร้อมกับเซลล์ที่แต่ละตัวนั้นสามารถเก็บข้อมูลได้ถึง 3 bits ซึ่งนั่นทำให้ตัวชิปหน่วยความจำนั้นจะมีความจุได้สูงสุดถึง 256 Gb ต่อชิปเลยทีเดียวครับ
สำหรับตัวแหล่งเก็บข้อมูลตัวแรกที่จะมาพร้อมกับชิปหน่วยความจำรุ่นที่ 6 ของทาง Samsung นั้นจะอยู่ในรูปแบบของ SATA SSD ที่มีความจุสูงสุดอยู่ที่ 250 GB โดยตัวเจ้าชิปหน่วยความจำแบบ V-NAND นี้นั้นทาง Samsung ได้ยืนยันว่ามันจะมาพร้อมกับการปรับปรุงในด้านการเก็บรักษาข้อมูลที่สามารถรักษาข้อมูลได้นานมากขึ้น(อายุการใช้งานมากขึ้น) สำหรับความเร็วในการอ่านข้อมูลนั้นก็จะน้อยมากคืออยู่ที่ 450 ms และความเร็วในการเขียนข้อมูลนั้นก็จะอยู่ที่ 45 ms เท่านั้น ซึ่งด้วยสเปคดังกล่าวนี้เองนั้นจะทำให้ SSD นั้นมีประสิทธิภาพสูงมากขึ้นกว่าการใช้งาน V-NAND รุ่นที่ 5 ที่ราวๆ 10% ในขณะที่ประหยัดพลังงานมากกว่าเดิม 15% ครับ
สำหรับเจ้า V-NAND ที่จะนำมาใช้บน 3D flash memory รุ่นที่ 6 นี้นั้นจะสามารถที่ทำการวางซ้อนกันได้อย่างน้อยที่สุดก็คือ 100 ชั้น(โดยที่ตัว SATA SSD ขนาด 250 GB ของทาง Samsung นั้นจะมาพร้อมกับการจัดวางชิป 3D flash memory ที่วางซ้อนกันมากถึง 136 ชั้น) ในรูปแบบของ single-stack structures มากกว่า V-NAND รุ่นที่ 5 ซึ่งสามารถที่จะวางในรูปแบบโครงสร้างเดียวกันได้สูงสุดที่ 99 ชั้นเท่านั้น นั่นทำให้บนชิปหน่วยความจำหนึ่งตัวนั้นสามารถที่จะมาพร้อมกับความจุได้สูงมากที่สุดถึง 512 Gb ครับ
หมายเหตุ – และด้วยเหตุผลดังกล่าวนี้เองครับมันก็จะทำให้เราได้เห็น SSD นั้นมีความจุเพิ่มมากขึ้นจากเดิมครับ
ที่มา : notebookcheck
