ดูเหมือนกับว่า Samsung เตรียมดับเครื่องชนกับผู้ผลิตชิปสำหรับอุปกรณ์เคลื่อนที่รายใหญ่ที่สุดของโลกอย่าง Intel แล้วครับด้วยการประกาศเปิดตัวกระบวนการผลิตที่ระดับ 10 nm FinFET โดยการเปิดตัวกระบวนการผลิตที่ระดับ 10 nm FinFET นี้เกิดขึ้นในงาน International Solid State Circuits Conference (ISSCC) 2015 ที่ผ่านมาในช่วงไม่นานมานี้ โดยจุดที่น่าสนใจก็คือทาง Samsung บอกว่าชิปที่ใช้กระบวนการผลิตในระดับนี้น่าจะมีออกมาให้เราใช้งานบนอุปกรณ์เคลื่อนที่กันในช่วงปลายปี 2016 – ต้นปี 2017 ที่จะถึงนี้แล้วครับ
อย่างไรก็ตามแต่ทาง Samsung ยังไม่ได้ทำการเปิดเผยข้อมูลใดๆ ออกมามากมายเท่าไรนักเกี่ยวกับกระบวนการผลิตในระดับ 10 nm FinFET นี้ แต่ทาง Samsung ได้บอกเอาไว้ว่าด้วยกระบวนการผลิตที่เล็กลงกว่าเดิมมากจะทำให้ชิปของอุปกรณ์เคลื่อนที่นั้นมีประสิทธิภาพเพิ่มมากขึ้นกว่าเดิมในขณะที่อัตราการใช้พลังงานนั้นต่ำลงจนทำให้ผู้ใช้งานพึงพอใจ โดย ณ ปัจจุบันนี้กระบวนการผลิตที่เล็กที่สุดที่ทาง Samsung ใช้ก็คือ 14 nm FinFET ที่ใช้ในการผลิตชิปเซ็ท Exynos 7420 ซึ่งอยู่บน Galaxy S6 ครับ
ถ้าหากเทียบกับคู่แข่งอันดับหนึ่งในปัจจุบันอย่าง Qualcomm ที่ยังคงใช้กระบวนการผลิตที่ระดับ 20 nm กับชิปเซ็ทรุ่นใหม่อย่าง Snapdragon 810 คงบอกได้คำเดียวครับว่าในครั้งนี้ Samsung ถือได้ว่านำหน้าไปมาก เพราะเป็นเรื่องปกติที่ทราบกันดีอยู่แล้วว่ายิ่งกระบวนผลิตมีขนาดเล็กลงมากเท่าไรอัตราการใช้พลังงานของชิปเซ็ทนั้นๆ ยิ่งน้อยลงเท่านั้น ที่เหลือก็ขึ้นอยู่กับการออกแบบตัวชิปของแต่ละเจ้าแล้วครับว่าจะสามารถทำได้ดีเพียงใด
ทั้งนี้ตามข่าวนั้นพบว่าทาง Samsung เริ่มต้นที่จะให้ความจริงจังในธุรกิจการผลิต SoC สำหรับอุปกรณ์เคลื่อนที่มากขึ้นตั้งแต่ที่ทาง Samsung มีการตัดสินใจออกมาว่าจะไม่ทำการเลือกใช้ชิปเซ็ท Snapdragon 810 ของทาง Qualcomm บนสมาร์ทโฟนเรือธงอย่าง Galaxy S6(เนื่องด้วยปัญหาความร้อนสะสมบนตัวชิปที่ทาง Samsung รับไม่ได้) ทั้งนี้ Samsung เองก็ยังเป็นผู้ผลิต SoC หลักๆ ให้กับผู้ผลิตรายอื่นอีกเช่น Apple ด้วยเช่นเดียวกันครับ คงต้องรอดูกันต่อไปว่าในครั้งนี้ทาง Intel จะยอมเสียส่วนแบ่งในตลาดการผลิตชิปเซ็ทไปหรือไม่
ที่มา : vr-zone
