Connect with us

Hi, what are you looking for?

Notebookspec

IT NEWS

Samsung เปิดตัวเทคโนโลยี NAND รุ่นใหม่ ลดการใช้พลังงานได้ถึง 96% ก้าวสำคัญของสมาร์ตโฟนยุค AI

Samsung NAND Low Power

ก้าวใหม่ของอุตสาหกรรมหน่วยความจำจาก Samsung

Samsung เดินหน้าแสดงศักยภาพด้านหน่วยความจำอย่างต่อเนื่อง ล่าสุดบริษัทประสบความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยี NAND รุ่นใหม่ที่สามารถลดการใช้พลังงานลงได้มากถึง 96% ซึ่งถือว่าเป็นตัวเลขที่สูงมากสำหรับอุปกรณ์ที่ทำงานตลอดเวลาอย่างหน่วยความจำแฟลช

เทคโนโลยีนี้ถือเป็นคำตอบต่อความต้องการของยุค AI ซึ่งสมาร์ตโฟน แล็ปท็อป และศูนย์ข้อมูลต้องการหน่วยความจำที่เร็วขึ้น ปริมาณมากขึ้น แต่กลับมีข้อจำกัดด้านพลังงานมากขึ้นเช่นกัน
ผลการวิจัยครั้งนี้ได้รับการเผยแพร่ในวารสารระดับโลก Nature โดยทีมวิจัยกว่า 34 คน ยืนยันว่าเทคโนโลยีนี้มีศักยภาพสำหรับการใช้งานจริงในอนาคตอันใกล้

Advertisement
image 62
นักวิจัยจาก SAIT ที่เข้าร่วมในงานวิจัยเรื่อง “ทรานซิสเตอร์เฟอร์โรอิเล็กทริกสำหรับหน่วยความจำแฟลช NAND แบบใช้พลังงานต่ำ” ถ่ายภาพที่ระลึกร่วมกัน
เครดิตภาพ: Samsung Electronics

หัวใจของ NAND รุ่นใหม่: Ferroelectric Transistor

เทคนิคสำคัญที่ช่วยให้ประหยัดพลังงานได้ถึง 96% คือการนำ Ferroelectric Transistor มาใช้แทนแบบดั้งเดิม โดยจุดเด่นของ Ferroelectric Transistor คือสามารถควบคุมกระแสไฟต่ำกว่าค่า threshold ได้อย่างแม่นยำ ซึ่งช่วยลดการรั่วไหลของกระแสไฟ (Leakage Current) ได้เกือบหมด

ทำไมเรื่องนี้สำคัญ?

NAND Flash มีโครงสร้างแบบ cell string — ยิ่งจำนวนเซลล์เยอะ ยิ่งเกิดปัญหา:

  • ใช้พลังงานมากขึ้น
  • กระแสไฟรั่ว แม้ปิดการทำงาน
  • ความร้อนสูงขึ้น
  • สูญเสียประสิทธิภาพ เมื่อชั้น (layers) เพิ่มขึ้น

แต่เมื่อใช้ Ferroelectric Transistor

  • กระแสที่ต่ำกว่าค่า threshold ถูกบล็อกได้
  • ไม่มีการรั่วไหลเหมือนเดิม
  • ใช้พลังงานน้อยลงอย่างมหาศาล แม้จำนวนชั้นและความจุเพิ่มขึ้น

ผลคือตัว NAND ทั้งชุด ใช้พลังงานลดลงได้ถึง 96%


ผลกระทบต่อสมาร์ตโฟน AI และวงการไอทีทั้งหมด

เทคโนโลยีนี้ไม่ได้สำคัญเฉพาะวงการหน่วยความจำ แต่ส่งผลโดยตรงกับทั้งอุตสาหกรรม ดังนี้:

1. สมาร์ตโฟนแบตอึดขึ้นแบบรู้สึกได้

ยุค AI บนมือถือทำให้มือถือใช้พลังงานสูงขึ้น เช่น

  • ประมวลผลภาพระดับ AI
  • ฟีเจอร์ Generate รูป วิดีโอ
  • การทำงานร่วมกับโมเดล AI ในเครื่อง

เมื่อ NAND กินไฟน้อยลง จะช่วยลดความร้อนและประหยัดแบตได้มาก

2. ศูนย์ข้อมูล AI ใช้ไฟลดลง

Datacenter คือผู้ใช้ NAND และ SSD รายใหญ่ที่สุด การประหยัดพลังงาน 96% หมายถึงต้นทุนไฟฟ้าที่ลดลงแบบชัดเจน และลดความร้อนสะสมในเซิร์ฟเวอร์จำนวนมหาศาล

3. เปิดทางสู่อุปกรณ์ที่บางลง เบาขึ้น

เมื่อสตอเรจกินไฟน้อยลง อุปกรณ์สามารถออกแบบระบบระบายความร้อนที่เล็กลงได้ ช่วยให้อุปกรณ์พกพาพัฒนารูปทรงได้ยืดหยุ่นขึ้น

4. รองรับความต้องการของยุค UFS 5.0 – PCIe 6.0 – และ AI PC

แม้ตอนนี้อุตสาหกรรมกำลังจับตา UFS 5.0 ที่จะเริ่มเข้าสมาร์ตโฟนปีหน้า
แต่หาก NAND รุ่นใหม่เข้าสู่สายการผลิตจริง มันจะเป็นการยกระดับทั้งอุตสาหกรรมอีกขั้นแบบที่ไม่เคยมีมาก่อน


เมื่อไหร่เราจะได้ใช้ NAND รุ่นใหม่ ?

แม้ว่ารายงานยังไม่ระบุช่วงเวลาการผลิตจริง แต่ปกติแล้วเทคโนโลยี NAND จากแล็บสู่ตลาดจะใช้เวลาประมาณ 1–3 ปี

ดังนั้นเป็นไปได้ว่า

  • ปี 2026–2027: เห็นต้นแบบหรือการประกาศใช้งานจริงในสินค้ากลุ่มพรีเมียม
  • หลังจากนั้น: กระจายสู่สมาร์ตโฟน ตลาดมวลชน และเซิร์ฟเวอร์

อย่างไรก็ตาม สิ่งที่แน่นอนคือ
การมาถึงของ NAND ประหยัดไฟ 96% จะเปลี่ยนวิธีออกแบบทั้งสมาร์ตโฟนและ AI PC ไปอย่างสิ้นเชิง


สรุป: หมุดหมายสำคัญของ NAND ยุคใหม่

เทคโนโลยี NAND ของ Samsung ที่ลดพลังงานได้สูงถึง 96% ด้วย Ferroelectric Transistor คือหนึ่งในก้าวสำคัญที่สุดของอุตสาหกรรมสตอเรจในรอบหลายปี

มันตอบโจทย์ทุกอย่างของยุคนี้:

  • ประสิทธิภาพสูง
  • ประหยัดพลังงาน
  • รองรับ AI workload
  • ใช้ได้ตั้งแต่สมาร์ตโฟนจนถึงศูนย์ข้อมูล

และจะกลายเป็นเทคโนโลยีสำคัญของอุปกรณ์ยุคต่อไปอย่างแน่นอน

ที่มา: wccftech

Click to comment
Advertisement

บทความน่าสนใจ

IT NEWS

เกิดอะไรขึ้นกับ Messenger Web Meta เตรียมยุติการให้บริการ Messenger Web บนโดเมน messenger.com ภายใน เดือนเมษายน 2026 โดยหลังจากนั้น หากผู้ใช้เข้าเว็บไซต์เดิม ระบบจะ เปลี่ยนเส้นทาง (redirect) ไปยัง facebook.com/messages ซึ่งเป็นหน้า Messages ที่อยู่ในเว็บไซต์ Facebook หลักแทน...

IT NEWS

ใช้ AI กันมากขึ้น แต่ “ตัวเลข productivity” ยังไม่ขยับ แม้กระแส AI จะถูกคาดหวังให้เข้ามาช่วยทำงานเร็วขึ้น ลดต้นทุน และทำให้องค์กรมี productivity สูงขึ้น แต่ข้อมูลล่าสุดจากงานวิจัยของ National Bureau of Economic Research (NBER) ชี้ว่า ในโลกความเป็นจริง บริษัทจำนวนมาก...

IT NEWS

งานวิจัยชิ้นใหม่จากจีนกำลังถูกพูดถึงในวงการเซมิคอนดักเตอร์ เพราะทีมนักวิจัยจาก Peking University และ Chinese Academy of Sciences รายงานความสำเร็จในการพัฒนา Ferroelectric transistor แบบใหม่ที่ย่อขนาดเกตลงมาเหลือเพียง 1 นาโนเมตร และลดแรงดันการทำงานลงได้ถึง 0.6V ซึ่งเป็นระดับที่ต่ำมากเมื่อเทียบกับหน่วยความจำ non-volatile แบบเดิม ๆ ที่ยังต้องใช้แรงดันสูงกว่านี้มากในการเขียนข้อมูล จุดสำคัญของข่าวนี้ไม่ใช่แค่คำว่า “เล็กที่สุด”...

IT NEWS

ถ้าจะสรุปข่าวนี้ให้เข้าใจง่ายในประโยคเดียว: Samsung กำลัง “จัดสรรกำลังผลิตใหม่” เพื่อทำกำไรให้สุดในรอบที่ราคา DRAM/NAND พุ่งสูงขึ้น โดยเลือกทุ่มทรัพยากรไปที่สินค้ามาร์จิ้นสูงก่อน (โดยเฉพาะ DRAM ฝั่ง server) แล้วค่อยเพิ่มน้ำหนักไปที่ HBM และงาน foundry โหนดใหม่ เมื่อ “yield” เริ่มนิ่งและคุมต้นทุนได้มากขึ้น แนวคิดนี้มาพร้อมเป้าหมายที่ค่อนข้างทะเยอทะยาน: รายงานระบุว่า Samsung ต้องการดัน...

เราใช้คุกกี้เพื่อพัฒนาประสิทธิภาพ และประสบการณ์ที่ดีในการใช้เว็บไซต์ของคุณ คุณสามารถศึกษารายละเอียดได้ที่ นโยบายความเป็นส่วนตัว

Privacy Preferences

คุณสามารถเลือกการตั้งค่าคุกกี้โดยเปิด/ปิด คุกกี้ในแต่ละประเภทได้ตามความต้องการ ยกเว้น คุกกี้ที่จำเป็น

ยอมรับทั้งหมด
Manage Consent Preferences
  • คุกกี้ที่จำเป็น
    Always Active

    ประเภทของคุกกี้มีความจำเป็นสำหรับการทำงานของเว็บไซต์ เพื่อให้คุณสามารถใช้ได้อย่างเป็นปกติ และเข้าชมเว็บไซต์ คุณไม่สามารถปิดการทำงานของคุกกี้นี้ในระบบเว็บไซต์ของเราได้

บันทึก