SK Hynix Inc ประกาศว่าตนกำลังผลิตแรม 6 Gb ( Gigabit ) LPDDR3 รุ่นใหมาล่าสุด ใช้เทคโนโลยีขนาด 20 นาโนเมตร ในการผลิต โดยตัวแรมจะมีประสิทธิภาพสูง ความจุสูง แต่อัตราการไฟต่ำ และประหยัดเนื้อที่ ออกแบบมาเฉพาะสำหรับ mobile device ในยุคหน้าโดยเฉพาะ
6 Gb LPDDR3 หรือเรียกอย่างเข้าใจง่ายๆ ว่าเป็นแรมแบบ DDR3 ที่กินไฟต่ำ เหมาะสำหรับใช้บน Smartphone และ Tablet ซึ่งตัวแรมจะเป็นเม็ดแรมที่สามารถรวมกันได้ 4 ชุดต่อหนึ่งแพ็คเกจ มีความจุสูงสุดอยู่ที่ 3GB โดยตัวเม็ดแรมเป็นการจัดวางในรูปแบบของ “PoP” หรือ Package on Package (ถ้าจะเรียกให้เข้าใจง่ายคือ นำเม็ดแรมมาซ้อนกันในลักษณะของตึก) ทำให้ตัวแรม 6 Gb LPDDR3 กินที่น้อยกว่า 4Gb LPDDR3 ในรุ่นเก่าที่จะเป็นการกระจายเม็ดแรมในแผง PCB ทำให้ช่วยประหยัดเนื้อที่ได้ นอกจากนี้ตัวเมโมรี่ 6 Gb LPDDR3 ต้องการแรงดันไฟเลี้ยงอยู่ที่ 1.2V ซึ่งค่อนข้างต่ำช่วยเซฟพลังงานได้ค่อนข้างดี แต่มีความเร็วค่อนข้างสูง
โดย บริษัท SK Hynix Inc เองก็ยั่งเชื่อมั่นว่าแรม 6 Gb LPDDR3 ของตนจะสามารถยกระดับการแข่งขัน สามารถเปลี่ยนแปลงตลาดได้ และจะถูกใช้งานในอุตสาหกรรม mobile device ในระดับ Hi-End อย่างต่อเนื่องจนถึงปี 2015 ได้อย่างแน่นอน โดยตัวอย่าง 6 Gb LPDDR3 บางส่วนก็ได้ส่งไปยังบริษัทที่ผลิต mobile device บ้างแล้วในขั้นทดลอง และคาดว่าจะมีการผลิตแบบอุตสาหกรรมในปีหน้า
ที่มา : Techpowerup
