IT NEWS
ก้าวใหม่ของหน่วยความจำ วงการเซมิคอนดักเตอร์กำลังใกล้ถึงการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ หลังทีมนักวิจัยจาก imec และ Ghent University สามารถสร้าง “สแต็กชั้นวัสดุ” ได้มากถึง 120 ชั้น โดยใช้ซิลิคอน (Si) และซิลิคอน-เจอร์เมเนียม (SiGe) สลับกันบนเวเฟอร์ขนาด 300 มม. ซึ่งเป็นก้าวสำคัญในการพัฒนา 3D DRAM หรือหน่วยความจำแบบสามมิติที่หลายค่ายผู้ผลิตกำลังเล็งเป็นอนาคตของ DRAMAdvertisement...






