IT NEWS
งานวิจัยชิ้นใหม่จากจีนกำลังถูกพูดถึงในวงการเซมิคอนดักเตอร์ เพราะทีมนักวิจัยจาก Peking University และ Chinese Academy of Sciences รายงานความสำเร็จในการพัฒนา Ferroelectric transistor แบบใหม่ที่ย่อขนาดเกตลงมาเหลือเพียง 1 นาโนเมตร และลดแรงดันการทำงานลงได้ถึง 0.6V ซึ่งเป็นระดับที่ต่ำมากเมื่อเทียบกับหน่วยความจำ non-volatile แบบเดิม ๆ ที่ยังต้องใช้แรงดันสูงกว่านี้มากในการเขียนข้อมูล จุดสำคัญของข่าวนี้ไม่ใช่แค่คำว่า “เล็กที่สุด”...






