SK Hynix บริษัทสัญชาติเกาหลีใต้ผู้ผลิต DRAM และ NAND flash ชื่อดังได้ทำการอัพเดทบัญชีรายชื่อของหน่วยความจำเพิ่ม GDDR6 และ HBM2 สำหรับการสั่งซื้อจากผู้ผลิตหน่วยความจำ(RAM) โดยเฉพาะหลังจากที่ในช่วงเดือนเมษายนที่ผ่านมาทางบริษัทได้ทำการเปิดตัวชิปหน่วยความจำ GDDR6 ออกมาครับ
สำหรับชิปหน่วยความจำอย่าง GDDR6 นั้นจะมาพร้อมกับขนาด 8 Gb หรือ 1 GB ต่อชิป มีอัตรการโอนถ่ายข้อมูลอยู่ที่ 14 Gbps และ 12 Gbps ตัวชิปใช้ไฟเลี้ยงที่ 1.35 V โดยหากใช้ GDDR6 ความเร็ว 14 Gbps ที่ความกว้างบัสของหน่วยความจำ 256-bit (จำนวน 8 ชิป) จะทำให้มีแบนด์วิดท์ทั้งหมดที่ 448 GB/s และหากใช้ความกว้างบัสของหน่วยความจำ 384-bit (จำนวน 12 ชิป) จะทำให้มีแบนด์วิดท์ทั้งหมดที่ 672 GB/s ครับ
และหากใช้ GDDR6 ความเร็ว 12 Gbps ที่ความกว้างบัสของหน่วยความจำ 256-bit (จำนวน 8 ชิป) จะทำให้มีแบนด์วิดท์ทั้งหมดที่ 384 GB/s และหากใช้ความกว้างบัสของหน่วยความจำ 384-bit (จำนวน 12 ชิป) จะทำให้มีแบนด์วิดท์ทั้งหมดที่ 576 GB/s ครับ
ส่วน HBM2 นั้นจะมาพร้อมกับขนาด 32 GB หรือ 4 GB ต่อชิป ความเร็วอยู่ที่ 1.60 Gbps โดยหากใช้ร่วมกันจำนวน 4 stacks แล้วนั้นจะมีแบนด์วิดท์อยู่ที่ 819.2 GB/s และสำหรับ 2 stacks (ซึ่งจะพบได้บนชิปกราฟิกสถาปัตยกรรม Vega 10 ของทาง AMD) จะมีแบนด์วิดท์อยู่ที่ 409.6 GB/s สำหรับชิปความเร็ว 2.00 Gbps นั้นได้ถูกนำออกไปจากบัญชีรายชื่อของหน่วยความจำแล้วครับ
ที่มา : techpowerup
