ในช่วงนี้นั้นคงต้องยอมรับหล่ะครับว่าการต้อสู้ทางด้านแหล่งเก็บข้อมูลนั้นเป็นการต่อสู้กันด้วยเทคโนโลยีใหม่ๆ ที่จะทำให้ขนาดความจุของแหล่งเก็บข้อมูลแบบ SSD สูงขึ้นโดยจากก่อนหน้านี้นั้นก็มีทาง Samsung ที่ได้เปิดตัวแหล่งเก็บข้อมูลแบบ SSD ที่มีความจุอยู่ที่ 32 TB กับทาง Seagate ที่เปิดตัวแหล่งเก็บข้อมูลแบบ SSD ที่มีความจุอยู่ที่ 60 TB
และในงาน Flash Memory Summit ที่ผ่านมาทาง Toshiba ได้เปิดตัว Flash สำหรับใช้ในแหล่งเก็บข้อมูลที่มาพร้อมกับเทคโนโลยีใหม่อย่าง quad-level cell (QLC) ซึ่งทาง Toshiba บอกเอาไว้ว่าจะทำให้แหล่งเก็บข้อมูลแบบ SSD มีความจุได้สูงถึง 100 TB เลยทีเดียวครับ
อย่างไรก็ตามแต่แล้วสิ่งที่ Toshiba เปิดตัวออกมานั้นยังคงเป้นแนวคิดอยู่ครับ แต่แนวคิดดังกล่าวนั้นอยู่ในขั้นที่สามารถที่จะพัฒนาได้จริงและทาง Toshiba เองก็พร้อมที่จะผลิตออกมาเพื่อจำหน่ายภายในช่วงไม่กี่เดือนข้างหน้านี้แล้วด้วยครับ ตามข้อมูลของ Toshiba นั้นระบุเอาไว้ว่าแหล่งเก็บข้อมูลที่ใช้ QLC NAND(หรือ QLC 3D SSD) นั้นจะมาพร้อมกับ PCIe gen 3 interface และจะมีพื้นที่ในการเก็บข้อมูลได้สูงสุดถึง 100 TB เลยทีเดียว สำหรับความเร็วในการโอนถ่ายข้อมูลนั้นจะมีดังต่อไปนี้ครับ
- ความเร็วในการอ่านข้อมูลแบบลำดับอยู่ที่ 3 GB/s
- ความเร็วในการเขียนข้อมูลแบบลำดับอยู่ที่ 1 GB/s
- ความเร็วในการอ่านข้อมูลแบบสุ่มอยู่ที่ 50,000 IOPS
- ความเร็วในการเขียนข้อมูลแบบสุ่มอยู่ที่ 14,000 IOPS
- อัตราการใช้พลังงงานที่ active state อยู่ที่ 9 watts(เท่ากับแหล่งเก็บข้อมูลที่มาพร้อมกับ from factor 3.5″ หรือ HDD ความจุ 8 TB ที่ใช้การเชื่อมต่อแบบ SATA 6 Gbit/s)
- อัตราการใช้พลังงานที่ idle state อยู่ที่ 100 mWatts
จะเห็นได้ว่าจากสเปคของทาง Toshiba นั้นน่าสนใจมากเลยทีเดียวครับโดยเฉพาะอย่างยิ่งในเรื่องของอัตราการใช้พลังงาน ที่เหลือที่ต้องมาคอยดูกันต่อไปนั้นก็คือว่าราคาจำหน่ายของมันนั้นจะอยู่ที่เท่าไรแต่จากสเปคและความใหม่ของเทคโนโลยีนั้นคาดได้ว่าราคาของเจ้าแหล่งเก็บข้อมูลของ Toshiba ที่ใช้เทคโนโลยี QLC NAND นั้นคงจะสูงจนบุคคลทั่วไปน่าจะยังไม่สามารถซื้อมาใช้งานตามบ้านเรือนกันตอนนี้ได้แน่ๆ ครับ
ที่มา : theregister.co.uk
