นอกจากทาง Samsung แล้วก็เห็นจะมีแต่ Intel กับ Micron นี่แหละครับที่เป็นผู้นำทางด้านเทคโนโลยีการผลิตหน่วยความจำสำหรับนำมาทำเป็นแหล่งเก็บข้อมูล โดยล่าสุดนั้นทาง Intel กับ Micron ได้ทำการประกาศประเภทของหน่วยความจำแบบใหม่ในรอบ 25 ปี มีชื่อเรียกว่า 3D XPoint ซึ่งเป็น non-volatile memory ที่ทั้ง 2 บริษัทสัญญาว่ามีความเร็วและความทนทานมากกว่า NAND แบบ non-volatile memory ที่ใช้ซึ่งถูกใช้มาตั้งแต่ในปี 1989 แล้วถึง 1,000 เท่าเลยทีเดียวครับ
3D XPoint wafers
อ้างอิงจากข้อมูลการแถลงข่าวอย่างเป็นทางการของ Intel และ Micron นั้นเทคโนโลยีนี้เกิดขึ้นโดยการคิดค้นสารวัสดุที่ไม่ซ้ำกันและสถาปัตยกรรมแบบ cross point ซึ่งทำให้ตัวชิปหน่วยความจำมีความหนาแน่นมากกว่าปกติทั่วไปถึง 10 เท่า ทั้งนี้เทคโนโลยีสามารถที่จะทำให้เราก้าวถึงนวัตกรรมในทฤษฎีได้หลายๆ อย่างไม่ว่าจะเป็นเรื่อง real-time tracking of diseases, machine learning หรือแม้แต่กระทั่งการเล่นเกมที่ความละเอียดระดับ 8K ครับ
สำหรับกระบวนการแรกของชิปหน่วยความจำแบบ 3D XPoint นั้นได้อยู่ในขั้นตอนของการผลิตและตัวอย่างของชิปจะถูกส่งไปยังลูกค้า(หมายถึงผู้ผลิตแหล่งเก็บข้อมูล) ที่ถูกคัดเลือกในช่วงปีนี้ ทั้งนี้ทั้งทาง Intel และ Micron เองก็กำลังดำเนินงานในส่วนของการสร้างผลิตภัณฑ์ที่ใช้เทคโนโลยีนี้อยู่ อย่างเร็วที่สุดที่เราจะได้เห็นแหล่งเก็บข้อมูลที่ใช้ชิปหน่วยความจำแบบ 3D XPoint นั้นก็คงเป็นปี 2016 เลยครับ (ส่วนเรื่องราคาจะอยู่ที่เท่าไรนั้นคงต้องรอลุ้นกันครับ)
ที่มา : notebookcheck
