Toshiba เปิดตัวเทคโนโลยีด้านหน่วยความจำใหม่มาอีกแล้ว โดยตอนนี้ยังเพิ่งเริ่มเป็นตัวต้นแบบ แต่ก็ถือว่ามีตัวเป็นจริงๆออกมาเป็นรูปเป็นร่างให้ได้เห็นกันแล้ว โดยชื่อของเทคโนโลยีตัวนี้ก็คือ spin transfer torque magnetoresistive random access memory หรือ STT-MRAM ที่ถือว่าเป็นหน่วยความจำแบบที่ใช้พลังงานน้อยที่สุดในโลก ซึ่งนั่นก็มีความเป็นไปได้ว่าจะเหนือกว่าเทคโนโลยีอย่าง SRAM ซะอีก
อย่างที่เรารู้กันว่าผลิตภัณฑ์ดิจิตอลสมัยใหม่ ไม่ว่าจะเป็นอุปกรณ์พกพาต่างๆ มือถือสมาร์ทโฟน หรือแท็บเล็ต PC ต่างก็ต้องการหน่วยความจำที่ทำงานได้รวดเร็ว ให้ทันท่วงทีกับชิปประมวลผลภายในตัวเครื่อง จนถึงปัจจุบัน เทคโนโลยี SRAM ก็ดูจะเป็นทางเลือกในการตอบโจทย์ที่ดีที่สุด โดยเฉพาะการใช้พลังงานที่ต่ำ แต่ยังคงให้ประสิทธิภาพที่ดี แต่ก็ยังมีปัญหาอยู่บ้าง อยางการรั่วไหลของพลังงาน ในระหว่างที่อยู่ในโหลด stand by หรือทำงานเต็มที่ MRAM จึงถือเป็นหน่วยความจำรุ่นต่อมา ที่จะเข้ามาเสริมข้อด้อยของ SRAM อย่างปัญหาการรั่วไหลของ SRAM?
สำหรับช่วงเวลาที่จะสามารถทำออกมาให้เราๆได้ใช้งานจริงนั้น ยังไม่แน่ชัดสักเท่าไหร่ แต่ Toshiba ก็จะพยายามทำให้เร็วที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ ส่วนความเคลื่อนไหวล่าสุดนั้น ก็จะมีการนำเอาเทคโนโลยีตัวนี้ไปนำเสนอที่งาน IEDM ชื่อเต็มว่า International Electron Device Meeting จัดโดย IEEE ใน San Francisco ในวันที่ 11 และ 12 ธันวาคม
ที่มา: TechPowerUp
