บริษัท Hynix Semiconductor Inc. ได้ประกาศเปิดตัวแรม 2Gb(Gigabit) DDR4 DRAM และ DDR4 DRAM ขนาด 2GB(Gigabyte) ECC-SODIMM (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module) ที่ได้พัฒนาขึ้นด้วยเทคโนโลยี 30nm โดยแรมตัวนี้เป็นการออกแบบมาเพื่อ micro server
DDR4 DRAM ถือเป็นหน่วยความจำในยุคสมัยต่อไป ซึ่งมีข้อดีที่พัฒนามากกว่าเดิมหลายอย่าง ตั้งแต่การบริโภคพลังงานไฟฟ้าที่น้อยลง ในขณะที่อัตราความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลนั้นสูงขึ้นกว่าเดิมกว่าสองเท่า เร็วกว่า DDR3 DRAM ที่มีอยู่ในปัจจุบัน ความเร็วสูงสุดที่ทำอยู่ที่ 2400Mbps(Megabits per second) ซึ่งเร็วกว่า DDR3 1333Mbps กว่า 80% เลยทีเดียว และยังทำงานที่แรงดันไฟต่ำ 1.2V ทำงานกับข้อมูลได้ถึง 19.2 GB ต่อวินาที
“ผลิตภัณฑ์ตระกูล DDR4 จะรองรับความต้องการมากมาย ทั้งความเป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม, ใช้พลังงานอย่างคุ้มค่า, ประสิทธิภาพสูง” เจ้าหน้าที่อาวุโสด้านการตลาดของ Hynix กล่าว “ด้วยผลิตภัณฑ์ตัวนี้ จะทำให้เรานำเสนอแนวทางใหม่แก่ลูกค้าของเรา ไม่ใช่แค่เครื่อง PC หรือ server แต่รวมถึงตลาดของเครื่อง tablet ด้วย”
Hynix วางแผนที่จะเริ่มทำการผลิตแรม DDR4 คุณภาพสูงนี้ ในครึ่งหลังของปี 2012
ตามที่ผลการสำรวจของตลาดจาก iSuppli คาดว่าส่วนแบ่งตลาดของแรม DDR4 DRAM จะเพิ่มขึ้นจาก 5% ในปี 2013 ไปเป็นมากกว่า 50% ภายในปี 2015 และกลายเป็นผลิตภัณฑ์ที่มีใช้ทั่วไปทดแทนรุ่นเก่าๆอย่าง DDR3 DRAM ที่จะถึงจุดสูงสุดในปี 2012 ด้วยส่วนแบ่งตลาดราวๆ 71% และจะลดลงเป็น 49% ภายในปี 2014
ที่มา: techpowerup
