อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของประเทศจีนนั้นถือได้ว่ามีความอิสระเป็นอย่างมากในการตั้งโรงงานพร้อมทั้งทางจีนยังปล่อยให้มีการผลิตอุปกรณ์ทางด้านอิเล็กทรอนิกส์ได้ในหลายระดับด้วยอีกต่างหาก เหตุผลนั้นก็เนื่องมาจากการที่ทางการของจีนต้องการที่จะใช้อุปกรณ์ภายในประเทศให้ได้มากที่สุดเท่าที่จะทำได้พร้อมกันนั้นยังเป็นการเพิ่มงานให้กับประชากรชาวจีนอีกด้วยครับ ล่าสุดนั้นได้มีรายงานเผยออกมาครับว่าทางประเทศจีนนั้นเริ่มต้นที่จะทำการผลิตหน่วยความจำแบบ DRAM เป็นของตนเองภายในประเทศแล้ว
บริษัทที่เป็นผู้ผลิตนั้นมีนามว่า ChangXin Memory Technology ซึ่งก่อตั้งขึ้นมาตั้งแต่ในปี 2016 โดยได้มีการผลิตซิลิกอนออกมาอย่างมากมาย โดยในวันจันทร์ที่ผ่านมานั้นทางบริษัทได้มีการประกาศออกมาครับว่า ณ ขณะนี้นั้นทางตัวบริษัทเองก็ได้เริ่มที่จะผลิตหน่วยความจำแบบ DRAM อย่างเป็นทางการแล้ว ซึ่งการผลิตในครั้งนี้นั้นก็จะส่งผลกระทบโดยตรงกับบริษัทที่ผลิต DRAM จากต่างประเทศไม่ว่าจะเป็น Micron, SK Hynix และ Samsung
ในการผลิตในครั้งนี้นั้นจะใช้กระบวนการผลิตที่ระดับ 18 nm ซึ่งหากเทียบกับคู่แข่งแล้วนั้นก็เรียกได้ว่าไม่ได้ห่างไกลกันเท่าไรนักเพราพบริษัทใหญ่ๆ ที่ผลิตหน่วยความจำแบบ DRAM ต่างก็ใช้กระบวนการผลิตที่ระดับ 12 – 16 nm ด้วยกันทั้งนั้น ทั้งนี้ทางบริษัทได้บอกเอาไว้ว่าในระยะเวลา 1 เดือนทางบริษัทจะสามารถผลิตตัวชิปได้ประมาณ 120,000 หน่วย โดยในช่วงสิ้นปีนี้ทางบริษัทก็พร้อมที่จะส่ง DRAM ล๊อตแลกของตนเองออกมาแล้วครับ
ที่มา : techpowerup
