เมื่อไม่นานมานี้ทางนัวิจัยนาม Kim Dong-Kyun จากทาง SK Hynix หนึ่งในผู้ผลิตชิปหน่วยความจำชื่อดังได้ออกมาบอกครับว่าทางบริษัท SK Hynix นั้นจะเริ่มผลิตและจำหน่ายชิหน่วยความจำแบบ DDR5 ภายในปี 2020 นี้ โดยหน่วยความจำแบบ DDR5 ที่ทาง SK Hynix จะทำการเริ่มผลิตเป็นรุ่นแรกนั้นจะเป็นรุ่น DDR5-5200 ซึ่งจะมีแบนด์วิดธ์สูงกว่าหน่วยความจำแบบ DDR4-2666 มากถึง 2 เท่า ส่วนมาตรฐาน DDR6 นั้นก็กำลังอยู่ในช่วงของการาพัฬฒนาและแน่นนอนครับว่ามันจะมาพร้อมกับแบนดธ์วิดธ์คิดเป็น 2 เท่าของ DDR5 อย่างแน่นอน
ย้อนกลับไปในปี 2018 ที่ผ่านมานั้นทาง SK Hynix ก็ได้มีการพัฒนาการผลิตชิปหน่วยความจำแบบ DDR5 ตัวต้นแบบที่มาพร้อมกับขนาด 16 gigabit(คิดเป็น 2 GB) โดยที่จะมีแบนด์วิดธ์ถึง 5200 MT/s โดยใช้ไฟเพียง 1.1 V เท่านั้น ทั้งนี้คุณ Kim Dong-Kyun ได้บอกเพิ่มเติมครับว่าในการพัฒนาหน่วยความจำ DDR5 นั้นทางบริษัทมีหลากหลายแนวคิดมากในช่วงของการพัฒนา โดยแนวคิดที่มีการพูดถึงและใช้เป็นหลักในการพัฒนาเลยนั้นก็คือเรื่องของความเร็วในการโอนถ่ายข้อมูล แถมอีกหนึ่งแนวคิดที่ถูกคิดไว้นั้นก็คือการพัฒนาให้หน่วยความจำนั้นอออกมาในรูปแบบ system-on-chip หรือรวมทุกแผงวงจรออกมาเป็นชิปตัวเดียวคล้ายกับ CPU ครับ
นอกเหนือไปจากนั้นแล้วทาง SK Hynix เองนั้นก็ได้มีการวิจัยและพัฒนาในส่วนนวัตกรรมที่เป็นของตัวเองในการผลิตหน่วยความจำแบบ DDR5 เพื่อที่จะสามารถเป็นผู้นำในตลาดชิปหน่วยความจำได้ ตัวอย่างเช่นเทคโนโลยี multi-phase synchronization ที่ทางบริษัทคิดขึ้นมานั้นจะช่วยให้ความต่างศักย์ของหน่วยความจำมีความเสถียรเพื่อที่จะได้ทำให้ตัวหน่วยความจำนั้นสามารถที่จะทำงานได้นิ่งที่สุดบนความเร็วสูงสุดอยู่ตลอดเวลาโดยเทคนิคนี้นั้นจะเป็นการเพิ่ม multi-phase เข้าไปในตัวแผงวงจรของหน่วยความจำ ผลที่ออกมานั้นนอกจากความต่างศักย์จะเสถียรอยู่ตลอดเวลาแล้วนั้นมันยังจะช่วยทำให้สามารถเพิ่มความเร็วในการโอนถ่ายข้อมูลให้มากขึ้นโดยที่ยังคงใช้ไฟต่ำอยู่ครับ
ที่มา : tweaktown
