ถือว่าเป็นการเปิดตัวที่น่าสนใจเป็นอย่างมากครับกับหน่วยความจำแรมขนาด 256 GB ที่อยู่ภายใต้โมดูลแผงวงจรเดียวจากทาง Samsung RAM โดยเมื่อไม่นานมานี้ทาง Samsung ได้ออกมาเปิดตัวชิปหน่วยความจำขนาด 16 Gb ที่ผลิตภายใต้กระบวนการผลิตที่ระดับ 10 nm ทำให้ทาง Samsung สามารถที่จะผลิตหน่วยความจำบนโมดูลแผงวงจรเดียวที่มาพร้อมกับหน่วยความจำสูงมากถึง 256 GB ได้อย่างสบายๆ ครับ
ถึงแม้ว่าผู้ใช้ในระดับทั่วไปนั้นจะยังคงไม่มีความจำเป็นที่จะต้องใช้หน่วยความจำมากถึงขั้น 256 GB ทว่าในส่วนของเครื่อง Server นั้นการเปิดตัวหน่วยความจำขนาดใหม่นี้นั้นถือว่าเป็นเรื่องที่น่าสนใจเป็นอย่างยิ่งครับเพราะในปัจจุบันนั้นเครื่อง Server มีความจำเป็นที่จะต้องรองรับการใช้งานของผู้ใช้ที่เพิ่มมากขึ้นทุกวันทำให้การที่มีหน่วยความจำขนาดใหญ่นั้นเป็นสิ่งที่จำเป็นไปแล้วอย่างเสียมิได้ครับ
สำหรับหน่วยความจำขนาด 256 GB บนโมดูลเดียวนั้นทาง Samsung จะทำการผลิตออกมา 2 รูปแบบคือ LRDIMM และ RDIMM ซึ่งจะมาพร้อมกับความเร็ว 2.93 GHz โดยที่มี CAS latency อยู่ที่ 21 ถึง 24 nm ทว่าอย่างไรก็ตามเพื่อที่จะทำให้หน่วยความจำสามารถใช้กับมาตรฐานเก่าได้ทาง Samsung ยังคงทำให้หน่วยความจำทั้ง 2 รูปแบบนั้นใช้ไฟอยู่ที่ 1.2 V เช่นเดิมเพื่อให้เป็นไป(ซึ่งในความเป็นจริงแล้วนั้นด้วยกระบวนการผลิตที่ระดับ 10 nm นั้นสามารถใช้ไฟได้ต่ำกว่า 1.2 V ครับ)
อย่างไรก็ตามทาง Samsung ก็ไม่ได้ลืมผู้ใช้ในระดับทั่วไปอย่างเราๆ ท่านๆ นะครับเนื่องจากว่าทาง Samsung เองก็จะทำการผลิตหน่วยความจำสำหรับผู้ใช้ทั่วไปด้วยชิปหน่วยความจำใหม่นี้เช่นเดียวกันแต่จะผลิตหน่วยความจำสูงสุดที่ขนาด 32 GB ต่อโมดูลเท่านั้น โดยจะมาพร้อมกับความเร็วที่ 2.66 GHz และมี CAS latency อยู่ที่ 19 ns ทว่าการใช้งานนั้นก็ต้องดูกับในส่วนของเมนบอร์ดและหน่วยประมวลผล(ในระดับ HEDT) ว่ารองรับการใช้งานด้วยหรือไม่ครับ
ที่มา : notebookcheck
