เมื่อไม่นานมานี้ทาง SK Hynix ได้ออกมาประกาศครับว่าทางบริษัทได้ทำการพัฒนา 72-layer 3D NAND flash chip รุ่นใหม่ล่าสุดซึ่งมากกว่าของทาง Samsung และ Toshiba ที่ยังคงพัฒนาและใช้งานกันที่ 64-layer อยู่ โดย 72-layer 3D NAND flash chip นั้นจะมาพร้อมกับความจุบนชิปต่อชิปสูงถึง 32 GB หรือ 256 Gb เลยทีเดียวครับ
ภาพประกอบเป็น Toshiba BG1 NVMe SSD TLC 3D NAND
อ้างอิงจากทาง SK Hynix นั้นพบว่า 72-layer 3D NAND flash chip รุ่นใหม่จะมีอัตราการผลิตที่สูงขึ้นเป็น 30 % เมื่อเทียบกับ 48-layer และมีชั้นสำหรับเซลล์มากกว่าเดิมถึง 1.5 เท่าซึ่งทำให้ความจุต่อชิปนั้นสูงขึ้น สำหรับเรื่องของอัตราการโอนถ่ายข้อมูลไม่ว่าจะเป็นเขียนหรืออ่านนั้นก็จะเพิ่มเป็น 20% ครับ แน่นอนว่าด้วยเทคโนโลยีใหม่นี้นั้นจะทำให้ชิปของทาง Hynix น่าจะเป็นจุดสนใจของบริษัทผู้ผลิตอุปกรณ์เคลื่อนที่และ SSD เป็นอย่างมาก
หมายเหตุ – ตามข้อมูลนั้นพบว่ายอดการใช้งาน 3D NAND flash นั้นสูงขึ้นเรื่อยๆ โดยในปี 2018 นั้นน่าจะสูงมากถึง 66% แถมเรื่องของยอดเงินในตลาด NAND นั้นน่าจะมากถึง $56.5 billion หรือประมาณ 1,949,250,000,000 บาทภายในปี 2021 ครับ
ที่มา : notebookcheck
