Samsung เตรียมพร้อมที่จะส่ง DDR4 รุ่นใหม่ เร็วและใช้พลังงานได้อย่างคุ้มค่ากว่าเดิม สำหรับโน๊ตบุ๊คและแท็บเล็ต ที่กำลังจะออกสู่ตลาดในไม่ช้านี้ โดยข่าวจากทางบริษัท ได้เริ่มทำการโฆษณาหน่วยความจำ DDR4 รุ่นล่าสุดที่ใช้กระบวนการผลิต 10 นาโนเมตร และเป็นชิปแบบ 8-Gigabit ตัวแรกที่มาจากเซิร์ฟเวอร์
ซึ่งแรม DRAM ในรุ่นใหม่ล่าสุด จะมีการใช้พลังงานที่น้อยกว่า DDR4 ในปัจจุบันที่ใช้กระบวนการผลิตแบบเดิม 20 นาโนเมตร โดยมีความเร็วในการโอนถ่ายข้อมูลความเร็วสูงอยู่ที่ 3200MHz เร็วกว่า DDR4 เดิมที่อยู่ในระดับ 2400MHz เท่านั้น คล้ายกับซีพียูและหน่วยประมวลผลกราฟฟิก ชิปมีการใช้พลังงานน้อยลง เนื่องจากมีขนาดที่เล็กกว่าเดิม โมดูลจะเล็กกว่าประมาณ 10-20 เปอร์เซนต์ ใช้พลังงานน้อยกว่า
หน่วยความจำ DDR4 เริ่มต้นการพัฒนาจากเซิร์ฟเวอร์ในปี 2014 และ Samsung เล็งเห็นว่า DRAM จะสามารถช่วยในการทำงานของแอพพลิเคชั่นในระดับเซิร์ฟเวอร์ ซึ่งแรมความเร็วสูงจะเข้ามามรบทบาทในการลดเวลาในการทำงานระหว่างแรมและส่วนของ Storage ให้น้อยลง และในฐานข้อมูลของเมมโมรี ก็จะมีรายการของแรม DDR4 ความเร็วสูงจาก Samsung ปรากฏให้เห็นอย่างแน่นอน
Samsung คาดว่าจะผลิตแรม DDR4 ในรุ่น 10nm นี้ โดยเริ่มต้นความจุที่ 4GB สำหรับโน๊ตบุ๊คและพีซี เพิ่มไปจนถึง 128GB สำหรับเซิร์ฟเวอร์ในระดับองค์กร แต่ทางบริษัทยังไม่ได้แจ้งข้อมูลช่วงการจัดส่งหรือวางจำหน่าย ได้แต่บอกถึงช่วงเวลาปีนี้เท่านั้น และหลังจากปีนี้ไป Samsung จะพร้อมในการนำเสนอเมมโมรี 10nm สำหรับสมาร์ทโฟน ที่จะเป็นจุดแข็งเพื่อการเป็นผู้นำในตลาดสมาร์ทโฟน Ultra-HD ในวันข้างหน้า
ที่มา :pcworld
