เมื่อไม่นานมานี้ทาง Samsung ได้ออกมาประกาศอย่างเป็นทางการครับว่าทาง Samsung ได้เริ่มต้นทำการผลิตหน่วยความจำแบบ HBM2 หรือ High Bandwidth Memory รุ่นที่ 2 แพคเกจขนาดความจุ 4 GB ตัวแรกของอุตสาหกรรมหน่วยความจำเป็นที่เรียบร้อยแล้ว ซึ่งหน่วยความจำแบบ HBM2 นี้นั้นจะถูกนำไปใช้งานร่วมกับชิปกราฟิกการ์ดระดับบนรุ่นใหม่ประจำปี 2016 ของทั้งฝั่ง AMD และ NVIDIA นอกไปจากนั้นแล้วจะยังมีการนำไปใช้งานใน high performance computing (HPC), network systems และ enterprise servers อีกด้วยครับ
Samsung ยืนยันอย่างหนักแน่นครับว่า HBM2 นั้นมีประสิทธิภาพทางด้านความเร็วสูงกว่า DRAM ทั่วไปในปัจจุบันที่เราๆ ท่านๆ ใช้กันถึง 7 เท่าตัวด้วยกันในขณะที่การใช้พลังงานของมันนั้นน้อยกว่า DRAM ทั่วไป ในการผลิต HBM2 แพคเกจขนาด 4 GB ของทาง Samsung นั้นใช้กระบวนการผลิตที่ขนาด 20 nm และได้มีการปรับแต่งดีไซน์เพิ่มเติมเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพให้เหนือขึ้นจาก HBM รุ่นแรกโดย HBM 2 ของทาง Samsung นั้นจะมีแบนด์วิดธ์สูงถึง 256 Gb/s มากกว่า HBM รุ่นแรกถึงเท่าตัวเลยทีเดียวครับ
นอกไปจากการประกาศเริ่มผลิตหน่วยความจำแบบ HBM2 แพคเกจ 4 GB แล้วทาง Samsung ยังได้ประกาศออกมาอีกว่าทางบริษัทมีแผนการที่จะผลิตหน่วยความจะ HBM2 DRAM แพคเกจ 8 GB ออกมาอีกภายในปีนี้ซึ่งหน่วยความจำแพคเกจ 8 GB นี้นั้นจะมุ่งเป้าให้ใช้งานร่วมกับกราฟิกชิประดับสูงโดยเฉพาะเนื่องจากว่ามันจะช่วยทำให้ผู้ผลิตกราฟิกการ์ดสามารถที่จะลดขนาดของแผงวงจร PCB ของกราฟิกไปได้มากถึง 95% ด้วยกันเมื่อเทียบกับการใช้งานร่วมกับ GDDR5 DRAM ครับ(ถ้าเป็นจริงเราจะได้เห็นกราฟิกการ์ดมีขนาดเล็กลงก็คราวนี้หล่ะครับ)
ที่มา : vr-zone
