ในช่วงสิ้นเดือนพฤศจิกายนที่ผ่านมานั้นทาง Samsung ได้ทำการประกาศออกมาอย่างเป็นทางการครับว่าทางบริษัทนั้นกำลังเริ่มทำการผลิตหน่วยความจำ “through silicon via” (TSV) double data rate-4 (DDR4) ขนาด 128 GB สำหรับเครื่องเซิร์ฟเวอร์ระดับองค์กรและ Data แล้ว
สำหรับโมดูลหน่วยความจำแบบ TSV DRAM ใหม่นั้นได้มีการเพิ่มในส่วนของขนาดความจุของหน่วยความจำและการใช้พลังงงานอย่างมีประสิทธิภาพมากกว่าโมดูล DRAM ใดๆ ในตลาดปัจจุบันทั้งหมดนี้ครับ ในขณะเดียวกันนั้นก็ยังมาพร้อมกับประสิทธิภาพที่สูงขึ้นกว่าเดิมและความเชื่อถือได้ที่เป็นเลิศ
หน่วยความจำ 128GB TSV DDR4 RDIMM ของทาง Samsung นั้นจะประกอบไปด้วยชิป DDR4 จำนวนทั้งหมด 144 ชิป โดยจะแบ่งเป็น 36 แพคเกจ แต่ละแพคเกจจะมีหน่วยความจำแบบ DRAM อยู่ 4 GB และหน่วยความจำแต่ละตัวนั้นจะประกอบไปด้วยชิป 8-gigabit ที่ผลิตขึ้นจากกระบวนการผลิตขนาด 20 nm หลังจากนั้นก็นำมารวมกันโดยใช้ cutting-edge TSV packaging technology ครับ
ทาง Samsung ยืนยันว่าโมดูลหน่วยความจำดังกล่าวนี้มีความเร็วในการโอนถ่ายข้อมูลสูงสุดอยู่ที่ 2,400 megabits per second (Mbps) ซึ่งมากกว่าโมดูล DRAM ความจุสูงๆ ในปัจจุบันถึง 2 เท่าตัว กลับกันนั้นโมดูลหน่วยความจำ 128GB TSV DDR4 RDIMM ของทาง Samsung นั้นมีอัตราการใช้พลังงานต่ำกว่าโมดูล DRAM ความจุสูงแบบอื่นๆ ถึง 50% ด้วยกัน
อย่างไรก็ตามแต่ทาง Samsung ยังไม่ได้บอกออกมาอย่างเป็นทางการครับว่าหน่วยความจำ 128GB TSV DDR4 RDIMM นั้นจะสามารถวางจำหน่ายได้ในช่วงไหน(รวมไปถึงราคาด้วย) แต่ทว่าทาง Samsung ได้หวังไว้ว่าในอนาคตนี้ด้วยโมดูลหน่วยความจำแบบ TSV DRAM ของทาง Samsung นั้นน่าจะผลักดันเพดานของความเร็วในการโอนถ่ายข้อมูลไปได้ถึง 2667 Mbps และ 3200 Mbps ซึ่งก็จะสามารถไปพอฟัดกับหน่วยความจำแบบ high bandwidth memory (HBM) ได้เลยหล่ะครับ
ที่มา : vr-zone
