เวลานี้ต้องบอกว่าตลาดของเมมโมรีและ SSD หยุดไม่อยู่จริงๆ ล่าสุด Samsung ก็ได้มีการประกาศเริ่มการผลิตไลน์ของชิป 12Gb (Gigabit) ในแบบ LPDDR4 ที่ใช้พลังงานต่ำและเป็น Double Data Rate 4 ที่เป็นโมบาย DRAM โดยมีพื้นฐานบนเทคโนโลยีการผลิต 20nm
LPDDR4 ใหม่ล่าสุดนี้ คาดว่าจะมีอัตราการทำงานที่สูงขึ้นและความจุที่มากขึ้น ออกแบบมาสำหรับอุปกรณ์โมบายทั่วโลก โดยที่ 12Gb LPDDR4 จะนำมาซึ่งอุปกรณ์ที่มีความจุมากขึ้นบนความเร็วที่ดีและการใช้พลังงานที่เหมาะสม สร้างความน่าเชื่อถือ สำหรับการออกแบบและพัฒนาอุปกรณ์โมบายในอนาคต
ซึ่งในช่วงที่เริ่มต้นการผลิตของ 12Gb LPDDR4 DRAM สำหรับโมบายในเวลานี้ ทำให้การตอบสนองด้านการใช้งานสำหรับอุปกรณ์ในยุคต่อไปได้ดีขึ้น และช่วยให้ผู้ใช้ได้รับประสบการณ์ที่ดี ซึ่งคาดว่าเทคโนโลยีนี้จะพร้อมให้การทำงานของอุปกรณ์โมบายเต็มไปด้วยประสิทธิภาพ
ซึ่งหากเทียบกับในช่วงก่อนหน้านี้ที่เป็น 10nm 8Gb LPDDR4 ในรุ่น 12Gb ให้ความเร็วได้มากกว่าร้อยละ 30 ด้วยความเร็ง 4266Mbps และเร็วเป็นสองเท่าของ DRAM DDR4 ที่ใช้บนเครื่องคอมพิวเตอร์ ในขณะที่มีการบริโภคที่น้อยลงร้อยละ 20 นอกจากนี้ด้วยกระบวนการผลิตของ 12Gb LPDDR4 ยังสูงขึ้นกว่าร้อยละ 50 จากในรุ่น 20nm 8Gb LPDDR4 ที่ต่อไปจะมีคาดว่าจะมีการใช้พลังงานที่สูงขึ้นในหน่วยความจำที่มากขึ้นบนอุปกรณ์โมบายรุ่นเรือธง
สำหรับ 12Gb LPDDR4 ทำให้แรมระดับ 3GB และ 6GB ใช้งานได้บนอุปกรณ์โมบายบนแพ๊คเกจเดียว ด้วยการใช้ชิปเพียงสองชิปและสี่ชิปตามลำดับ รวมถึงเป็นการปรับปรุงที่ทำให้สามารถใช้แพ็คเกจ 6GB LPDDR4 ไว้ในอุปกรณ์โมบายรุ่นใหม่ อันจะทำให้ผู้ใช้ได้สนุกไปกับการทำงานในแบบมัลติทาส์กกิ้งได้อย่างราบรื่นและมีประสิทธิภาพสูงสุดในระบบปฏิบัติการล่าสุด นอกจากนี้ยัง 12Gb LPDDR4 แพ็คเกจ 6GB ยังสามารถใช้พื้นที่ระดับเดียวกับแพ็คเกจ 3GB LPDDR4 ที่มีอยู่ในปัจจุบัน ดังนั้นจึงเข้ากันได้ทั้งในด้านการออกแบบและระบบการผลิตอุปกรณ์โมบายขั้นสูง
โดยการขยายหน่วยความจำขนาดใหญ่ขึ้นอยู่กับ 12Gb LPDDR4 ซัมซุงวางแผนที่จะเสริมความสามารถในการแข่งขัน 20nm ด้านอุตสาหกรรมของ DRAM (12Gb/ 8Gb/ 6Gb และ 4Gb) ที่เป็นจุดของของบริษัทในตลาดหน่วยความจำระดับพรีเมียม
ที่มา : samsungtomorrow
