พึ่งจะเปิดตัวกันไปในช่วงต้นเดือนที่ผ่านมา นอกจากรูปลักษณ์ที่หลายๆ คนบอกว่าเปลี่ยนไปจากเดิมมาก และการเปลี่ยนแปลงภายในหลายๆ อย่างไม่ว่าจะเป็นการใช้ชิปเซ็ท Exynos 7420 ของตัวเอง พร้อมด้วยการใช้ flash memory แบบใหม่(รวมไปถึงการออกแบบที่ไม่สามารถให้ผู้ใช้เปิดตัวเครื่องเพื่อเปลี่ยนแบตเตอรี่หรือใส่ microSD Card เข้าไปเพิ่มเติมได้อีก ฯลฯ อีกเพียบ) หลังจากนั้นไม่นานมากนักก็มีผล Benchmark ความแรงของตัวเครื่อง Galaxy S6 หลุดออกมาครับ
อันดับแรกมาดูกันที่ผลการทดสอบความแรงของชิปเซ็ท Exynos 7420 ที่ทาง Samsung ภูมิใจนักหนาก่อนครับ โดยจากผลการทดสอบผ่านแอปพลิเคชัน Geekbenchmark ขาประจำแอป benchmark หลุดที่ Samsung Galaxy S6 นั้นเอาชนะ HTC One M9 ที่ใช้ชิปเซ็ท Qualcomm Snapdragon 810 ไปได้แบบสบายๆ ครับ
ต่อกันกับแอปพลิเคชันทดสอบความเร็วในการอ่านและเขียนข้อมูลอย่าง Androbench ที่ทั้ง Galaxy S6 และ Galaxy S6 EDGE สามารถทำคะแนนนำคู่แข่งไปได้แบบไม่เห็นฝุ่นกันเลยทีเดียวไม่ว่าจะเป็นทั้งการอ่านและการเขียน ซึ่งน่าจะเป็นผลมาจากการที่ Samsung หันไปใช้ flash memory แบบใหม่อย่าง Universal Flash Storage (UFS) 2.0 ที่ได้มีการเปิดตัวไปก่อนหน้านี้ผลจะเป็นอย่างไรนั้นไปชมกันได้เลยครับ
จากผลการทดสอบนั้นก็แสดงให้เห็นอย่างชัดเจนครับว่าถ้าเป็นในเรื่องของสเปคภายในแล้ว Samsung ปรับโฉมกลับมาเป็นผู้นำได้ดีจริงๆ ทว่าอีกผลการทดสอบที่ยังคงไม่มีใครรู้จนกว่าจะได้จับตัวเครื่องเป็นๆ นั้นก็คืออายุการใช้งานแบตเตอรี่ที่ไม่รู้ว่า สเปคเครื่องแรงนำมาขนาดนี้แล้วแบตเตอรี่จะอยู่ได้นานหรือไม่ คงต้องคอยดูกันต่อไปครับ
ที่มา : bgr
