บริษัท SK Hynix Inc. ประกาศเปิดตัวผลงานการพัฒนาใหม่ล่าสุด เป็นชิปหน่วยความจำ LPDDR3 (Low Power DDR3) 8Gb (Gigabit) ตัวแรกของโลก โดยใช้เทคโนโลยีการผลิตที่ล้ำหน้าอย่าง 20 นาโนเมตร ทำให้เป็นผลิตภัณฑ์ที่มีเทคโนโลยีใหม่ล่าสุด มาพร้อมประสิทธิภาพระดับสูงสุด มีความเร็วในการทำงานสูง และบริโภคพลังงานต่ำ
ตัวหน่วยความจำใหม่นี้ สามารถทำงานได้ที่ความเร็ว 2133 Mb ต่อวินาที เร็วกว่าเทคโนโลยี LPDDR3 ในปัจจุบัน ซึ่งทำงานได้ที่ความเร็ว 1600 Mb ต่อวินาที และถือเป็นหน่วยความจำ DRAM แบบ mobile ที่เร็วที่สุดในโลกเลยทีเดียว ด้วยระบบ I/O 32-bit ความเร็วสูงสุด 8.5GB ต่อวินาทีในแบบ single channel และเมื่อทำเป็นระบบ dual channel ก็จะกลายเป็นความเร็วเท่าตัวที่ 17GB ต่อวินาที พร้อมกับค่าแรงดันไฟในการทำงานที่ต่ำ 1.2 โวลต์
ในขณะที่ LPDDR3 ทำงานได้เร็วเป็นสองเท่าจาก LPDDR2 ด้านระบบพลังงานในโหมดสแตนด์บาย ก็ยังลดลงจากเดิมถึง 10 เปอร์เซ็นต์ ดังนั้น มันจึงตอบโจทย์ได้ทั้งประสิทธิภาพที่ดีขึ้น และการประหยัดพลังงานที่ดีกว่าเดิม ในแบบที่อุปกรณ์เครื่องพกพาต่างๆต้องการ
สำหรับตัวทดลอง ก็ได้ถูกจัดส่งไปให้เหล่าลูกค้า ได้เริ่มทำการทดลองใช้งานจริงเป็นที่เรียบร้อยแล้ว ส่วนทางบริษัท ก็ได้เริ่มวางแผนเตรียมทำการผลิตในจำนวนมากภายในปลายปีนี้
ที่มา: TechPowerUp
