?
Hynix Semiconductor, Inc. ได้ฤกษ์เปิดตัวแรมคุณภาพสูง DDR3 ขนาดความจุ 1GB ใช้เทคโนโลยีการผลิตขนาด 54 nm โดยจะมีรหัส x4 คือ (H5TQ1G43TFR) และ x8 (H5TQ1G83TFR) ตามลำดับ
ในสายผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ ใช้กำลังไฟที่ 1.5V (volts) โดยจะช่วยในส่วนของการประหยัดพลังงานได้มากถึง 30% ซึ่งทาง iSuppli นั้นคาดว่ามันจะสามารถเพิ่มยอดการใช้งานแรมแบบใหม่นี้ได้สูงถึง 87 % และจะมากกว่า 50% ในปี 2011 และนั่นก็หมายความว่าแรมแบบ DDR3 นี้จะเข้ามาแทนที่แรม DDR2 ในไม่ช้านี้แน่นอน เหมือนเช่นที่ DDR2 เคยแทน DDR1 มาแล้วนั่นเอง สำหรับในอนาคตก็ยังจะมีการออกแบบแรม DRAM ขนาด 2GB DDR3 ในสายการผลิต 40nm เพิ่มเข้ามาอีกด้วย
ที่มา : techpowerup
