Home » 4. Other News

Samsung – เปิดตัว “Flashbolt” หน่วยความจำ HBM2E แรงทะลุโลก เน้นใช้งานระดับสูง Graphic, AI

21 Mar 19 - By l

ในงาน GTC หรือ NVIDIA’s GPU Technology Conference ทาง Samsung แถลงเปิดตัวหน่วยความจำแบบ High Bandwidth รุ่นใหม่ HBM2E ที่เป็นการยกระดับ DRAM ไปอีกขั้นหนึ่งสำหรับการใช้งานบนซูเปอร์คอมพิวเตอร์ คอมพิวเตอร์งานกราฟิกและ AI (artificial intelligence)

โดยที่ “Flashbolt” นี้เป็นหน่วยความจำแรกที่ให้ความเร็วในการส่งข้อมูลระดับ 3.2 Gb/s นั่นทำให้เร็วกว่า HBM2 ที่นำมาใช้กันบนการ์ดจอรุ่นก่อนหน้านี้อยู่ถึง 33% เลยทีเดียว หากดูในรายละเอียด Flashbolt มีความหนาแน่นที่ 16Gb per die จึงเพิ่มความจุได้มากกว่าแบบเดิมถึงเท่าตัว ดังนั้นในแพ็คเกจของ HBM2E ชุดเดียว จะสามารถให้แบนด์วิทธิ์ได้สูงถึง 410Gb/s และความจุ 16GB เลยทีเดียว

ซึ่งทาง Samsung ได้ให้ความเห็นถึงหน่วยความจำ Flashbolt ว่าเป็นหน่วยความจำที่ได้รับการปรับปรุงมาเพื่อกลุ่มดาต้าเซ็นเตอร์รุ่นใหม่ รวมถึงระบบปัญญาประดิษฐ์ และการใช้งานร่วมกับแอพพลิเคชั่นกราฟิกอีกด้วย ต้องถือว่าเป็นอีกก้าวหนึ่งของตลาดไอที แม้ว่า HBM2E จะถูกวางไว้ในกลุ่มผู้ใช้ระดับองค์กร แต่ก็คาบเกี่ยวกับตลาด Consumer อยู่เล็กน้อย โดยเฉพาะในเครื่อง Workstation หรืองานอุตสาหกรรมวีดีโอ

ส่วนใครที่อยากจะใช้หน่วยความจำ HBM2E ก็คงต้องร้องเพลงรอกันไปก่อน เพราะลำพัง HBM2 ยังราคาสูงลิบ เมื่อคิดแบบแยกแพ็คเกจ จึงอาจจะไม่ได้ลงตลาดผู้ใช้ทั่วไปได้ง่ายๆ แต่ถ้าอยากลอง HBM2 ว่าแรงขนาดไหน ก็อาจจะลองใช้ AMD Vega หรือ Radeon VII ไปพลางๆ ก่อนได้ครับ

ที่มา: Samsung HBM2E, HBM2



© Copyright - Notebookspec.com All Rights