Home » 4. Other News

Samsung เริ่มต้นการผลิตหน่วยความจำ (RAM) แบบ DDR4 ที่กระบวนการผลิต 20 นาโนเมตร

24 Oct 14 - By l

ในช่วงอาทิตย์ที่ผ่านมานี้ทาง Samsung ได้ทำการประกาศออกมาครับว่าทางบริษัทได้ทำการเริ่มต้นกระบวนการผลิตหน่วยความจำแบบ DDR4 ขนาด 8 Gb(Gigabit) และ 32 GB(Gigabyte) เป็นที่เรียบร้อยแล้วโดยทั้ง 2 โมดูลนั้นได้ใช้กระบวนการผลิตที่ระดับ 20 nm เพื่อที่จะทำการตอบสนองต่อผู้ใช้งานระดับองค์กรโดยเฉพาะครับ(รวมไปถึง Server ระดับองค์กร) แน่นอนว่าหน่วยความจำใหม่ที่ทาง Samsung ได้ทำการเริ่มการผลิตนี้จะมาพร้อมกับประสิทธิภาพที่เหนือกว่า ความจุที่มากกว่า แต่อัตราการใช้พลังงานนั้นจะลดลงจากเดิมครับ

ด้วยการใช้ชิปหน่วยความจำชิปละ 8 Gb แบบ DDR4 นี้จะทำให้บนแผงหน่วยความจำแผงหนึ่งสามารถที่จะมีความจุได้สูงมากที่สุดถึง 32 GB ด้วยกัน โมดูลใหม่นี้จะมาพร้อมกับความสามารถในการโอนถ่ายข้อมูลได้ที่ระดับ 2,400 Mb/s(megabits/second) ซึ่งจะเร็วกว่าหน่วยความจำแบบ DDR3 ในโมดูลสูงสุดที่มีความเร็วในการโอนถ่ายข้อมูลอยู่ที่ 1,866?Mb/s(megabits/second) ทั้งนี้ด้วยความที่แผงหน่วยความจำแผงหนึ่งนั้นมีความจุได้สูงถึง 32 GB นั้นจะทำให้เครื่อง Server นั้นสามารถที่จะทำการเพิ่มหน่วยความจำได้สูงสุดถึง 128 GB ครับ แน่นอนว่ากระแสไฟที่หน่วยความจำของทาง Samsung ต้องการนั้นจะอยู่ที่ 1.2 V เท่านั้นครับ

ที่มา :?techpowerup



© Copyright - Notebookspec.com All Rights